Метода - направленная кристаллизация
Cтраница 1
Методы направленной кристаллизации, используемые для получения заданного распределения концентраций ( в том числе равномерного распределения компонентов) и для выращивания монокристаллов, близки между собой. [1]
Методы направленной кристаллизации позволяют определить характер нонвариантного превращения не только вблизи ординат чистых компонентов, но и соединений, образующихся в системе. Тип нонвариантного превращения в этом случае указывает на характер плавления данного соединения, который зачастую не удается установить обычными методами. [2]
Методы направленной кристаллизации оказываются полезными и в тех случаях, когда неоднозначность данных различных исследований по определению характера плавления соединения объясняется не крайней близостью нонвариантной точки к его ординате, а малым наклоном линий фазового равновесия в рассматриваемой области диаграммы состояния. Хотя эвтектическая точка на диаграмме состояния расположена от ординаты соединения CuaTi достаточно далеко, температура его плавления по мере увеличения концентрации меди изменяется незначительно. Это обстоятельство привело к противоречивым мнениям о характере плавления Cu3Ti; окончательная оценка была сделана на основании данных зонной перекристаллизации [192, 193], убедительно показавших, что рассматриваемое соединение плавится конгруэнтно. [3]
 |
Схема метода Стокбаргера. [4] |
Методы направленной кристаллизации в лодочке широко используются при выращивании монокристаллов полупроводниковых веществ, разлагающихся при плавлении. Отсутствие относительного перемещения кристалла и расплава позволяет помещать лодочку с материалом в кварцевую ампулу, которая после откачки заваривается и целиком помещается в трехзонную печь. [5]
Методы направленной кристаллизации легированных расплавов приводят ( за исключением случая, когда / С1) к закономерной макронеоднородности распределения примеси по длине слитка. Распределение примеси по сечению кристалла перпендикулярно оси роста зависит от большого числа технологических и кристаллографических факторов, не поддающихся точному учету. [6]
Методами направленной кристаллизации получают поликристаллические лопатки со столбчатыми зернами, вытянутыми вдоль оси отливки ( НК-отливки), монокристаллические ( МК) лопатки, состоящие из одного большого зерна, и так называемые направленные эвтектики ( НЭ) - естественные композиты, армированные волокнами, возникающими в процессе кристаллизации. [7]
 |
Зависимость концентрации С примеси в твердой фазе от величины относительной доли g затвердевшей части образца в процессе направленной кристаллизации по. [8] |
В методе направленной кристаллизации [8] расплавляется весь стержень, которому дают затем остывать с одного конца. [9]
 |
Схема установки для двухтем-пературного синтеза GaAs. [10] |
Производят арсенид галлия методами направленной кристаллизации, вытягиванием из расплава по Чохральскому и зонной плавкой. Главным контейнерным материалом при получении и очистке GaAs служит плавленый кварц. Применяются также стеклоуглерод и нитрид алюминия. [11]
Эффективность разделения или очистки вещества от примеси методами направленной кристаллизации в значительной степени определяется коэффициентом распределения компонентов между жидкой н твердой фазами. При этом различают равновесный и эффективный коэффициенты распределения. Значение первого из них определяется только типом диаграммы равновесия разделяемой смеси и ее составом. [12]
Разделение компонентов в расплавах может также производиться методами направленной кристаллизации и зонной очистки. Суть направленной кристаллизации заключается в постепенном понижении температуры по мере движения столба расплава. Практически это может осуществляться, например, путем медленного ввода содержащего расплав цилиндрического сосуда в криостат. Сначала будет образовываться твердая фаза в той части сосуда, которая первой попадает в криостат. В результате между жидкой и твердой фазами образуется поверхность раздела. Эта граница раздела является фронтом кристаллизации, который движется вдоль сосуда по мере ввода его в криостат. [13]
Сурьму и висмут подвергают окончательной глубокой очистке методами направленной кристаллизации или зонной плавки. Такие методы очистки позволяют получить мышьяк, сурьму и висмут с суммарным содержанием примесей, не превосходящим 10 - 4 - 10 - 6 мае. [14]
 |
Участок диаграммы состояния с ограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии. [15] |
Страницы: 1 2 3