Метода - направленная кристаллизация
Cтраница 2
Кроме изучения фазовых равновесий жидкость - кристаллы, методы направленной кристаллизации принципиально можно использовать для исследования температурной зависимости растворимости компонентов в твердом состоянии при температурах, меньших эвтектической температуры Те. [16]
 |
Распределение антрацена в образце перитектической системы фенантрен - антрацен после зонной перекристаллизация. [17] |
Таким образом, для систем перитектического типа прямое определение координат перитектической точки Ср и Тр методами направленной кристаллизации невозможно. При С0СР характерное для перитектических систем скачкообразное изменение концентраций исчезает. [18]
Как и при исследовании бинарных систем, полезную информацию о характере диаграмм состояния многокомпонентных систем дает определяемый методами направленной кристаллизации коэффициент распределения компонентов. [19]
В связи с этим создаются не только новые композиции сплавов, но и новые технологии получения литых сплавов - методы направленной кристаллизации. [20]
Естественное желание предотвратить испарение расплава слюды привело к идее использования герметичного контейнера и, как следствие - к аппаратурному оформлению процесса методами направленной кристаллизации в горизонтальном или в вертикаль -; ном вариантах. Бриджмена - Стокбаргера, пользуются все исследователи, которым удавалось получить на затравку удовлетворительные по качеству пластины фторфлогопита. Публикаций, достоверно описывающих процесс выращивания кристаллов фторфлогопита на затравку, не имеется, если не считать отрывочных сведений. [21]
А и В, тем труднее осуществить глубокую очистку разгонкой ввиду близости упругостеи пара и в то же время труднее ее осуществить методами направленной кристаллизации или зонной плавки, ибо коэффициент распределения в таких случаях приближается к единице. [22]
А и В, тем труднее осуществить глубокую очистку разгонкой ввиду близости упругостей пара и в то же время труднее ее осуществить методами направленной кристаллизации или зонной плавки, ибо коэффициент распределения в таких случаях приближается к единице. [23]
Достоинством метода синтеза сплавлением компонентов соединения являются простота аппаратурного оформления, высокая производительность и легкость совмещения операции синтеза с операциями выращивания монокристаллов из синтезируемого расплава методами направленной кристаллизации. Применение этого метода для синтеза разлагающихся полупроводниковых соединений требует в каждом отдельном случае подбора соответствующего флюса. Наиболее распространенным и практически единственным флюсом, применяемым в технологии полупроводниковых соединений, является оксид бора ( III) В2Оз, размягчающийся при температурах около 600 С. Поэтому синтез сплавлением исходных компонентов нашел применение пока только для получения арсенидов индия и галлия, летучий компонент которых ( мышьяк) плавится при температуре свыше 800 С. [24]
В настоящее время многие из этих классических препаративных методов получили большое развитие и являются ведущими в технологии получения особочистых веществ и монокристаллов. К ним относятся методы направленной кристаллизации, зонной перекристаллизации, вакуумной сублимации, фракционной перегонки. [25]
При проведении химических реакций, а также при выделении веществ из смеси в чистом виде и поныне исключительно важную роль играют препаративные методы: осаждение, кристаллизация, фильтрование, сублимация, перегонка и т.п. В настоящее время многие из этих классических препаративных методов получили дальнейшее развитие и являются ведущими в технологии получения особо чистых веществ и монокристаллов. К ним относятся методы направленной кристаллизации, зонной перекристаллизации, вакуумной сублимации, фракционной перегонки. [26]
Еще один очень важный шаг заключался в том, чтобы сократить до минимума самое слабое звено в структуре стандартных суперсплавов, а именно убрать по возможности границы зерен, расположенные перпендикулярно оси растягивающего напряжения. Этого достигли, применив методы направленной кристаллизации или направленной термической обработки, которые позволяют получить микроструктуру с чрезвычайно сильно вытянутым зерном либо полным отсутствием поперечных границ зерен. [27]
 |
Схема диаграммы состо - 72 С примеси в твердой фазе Na яния системы германий - примесь будет значительно меньше, чем. [28] |
Более глубокую очистку полупроводниковых материалов ( для германия р 0 45 Ом м), а также легирование в строго контролируемых микродозах проводят кристаллофизическими методами. Основными из них являются методы направленной кристаллизации из расплава. [29]
Одним из непременных условий получения надежных данных физико-химического анализа является использование в качестве объектов исследования достаточно чистых исходных веществ. Для очистки веществ широко привлекаются методы направленной кристаллизации и в первую очередь, зонная перекристаллизация. Ввиду того, что существующие методы анализа зачастую из-за недостаточной чувствительности не в состоянии обеспечить ее решение, полезным оказывается применение направленной кристаллизации для концентрирования примесных компонентов с их последующим определением. [30]
Страницы: 1 2 3