Cтраница 2
Диэлектрические пленки должны удовлетворять ряду требований: быть одинаковыми по толщине и иметь однородные структуру и состав как в каждом элементе микросхемы, так и на всех подложках, обрабатываемых на данном этапе технологического процесса. Параметры пленок должны быть надежно контролируемыми и воспроизводимыми, а методы получения пленок должны обеспечивать возможность максимально полной автоматизации, быть экономичными и безопасными. [16]
При получении аморфных, оптически-прозрачных и бесцветных пленок их толщина лимитируется склонностью к помутнению вследствие образования кристаллов. Критическая толщина пленок, при которой начинает появляться помутнение, колеблется от 150 до 300 мк и зависит от метода получения пленки, среднего молекулярного веса и молекулярно-весового распределения взятого полимера. [17]
Пленки Si3N4 химически инертны и с большим трудом поддаются травлению. Наиболее подходящим травителем является концентрированная ( 48 %) HF; при этом скорость травления изменяется от 150 А мин - [110] до 500 я 1000 А мин 1 [98], в зависимости от метода получения пленок и их толщины. Эти металлы не взаимодействуют с HF и она не проникает под пленки этих металлов, так что таким способом могут быть изготовлены сравнительно бездефектные рисунки. [18]
Широко используются в пром-сти методы получения пленок в растворах, содержащих хромовые соли. Методы оксидирования, наиболее применяемые в сов. [19]
Смесь гомогенизируют па вальцах или в смесителях и среде органпч. Пленку формуют при повышенной темп-ре на прессах или каландрах. Возможно формование пленки поливом на барабан или па непрерывную ленту ( о методах получения пленок см. Планки полимерные) с последующим уплотненном на прессах. [20]
Смесь гомогенизируют на вальцах или в смесителях в среде органич. Пленку формуют при повышенной темп-ре на прессах пли каландрах. Возможно формование пленки поливом на барабан или на непрерывную ленту ( о методах получения пленок см. Пленки полимерные) с последующим уплотнением на прессах. [21]
Структура пленок определяется температурой образования пленки. При низких температурах пленка получается аморфной и однородной. Для пассивации лучше использовать аморфные пленки, так как на границе их с подложкой возникают меньшие механические напряжения, чем на границе кристаллической пленки с подложкой. Структура поверхности пленок нитрида кремния зависит от метода получения пленки. [22]
Если для неполярных пленок наблюдается близкое к линейному снижение ег с температурой, то для полярных бг возрастает с температурой, причем обычно нелинейно, tg б полярных пленок в связи с наличием в них релаксационных видов поляризации не только заметно выше, чем у неполярных пленок, но и резко зависит от температуры и частоты. Для ряда полярных пленок на температурной зависимости tg 6 появляются даже два максимума; низкотемпературный обусловлен релаксацией звеньев макромолекул. Электрическая прочность полярных пленок, как правило, выше, чем у неполярных, но более резко зависит от температуры. По механической прочности и нагревостойкости полярные пленки могут быть как лучше, так и хуже отдельных видов неполярных пленок в зависимости от типа полимера и от метода получения пленки. По значениям р и коэффициента абсорбции полярные пленки обычно уступают неполярным. [23]
Для установления зависимости второго момента линии от положения образца в поле необходимо задаться характером ориентации структурных элементов в образце полимера. Китайгородский вз рассматривает два основных типа ориентации: аксиальную текстуру и плоскую текстуру. Более подробную классификацию возможных типов ориентации структурных элементов в полимере приводят Хеффельхингер и Бартон347, различающие шесть типов ориентации: 1) случайная; 2) плоская; 3) одноплоскостная; 4) осевая; 5) плоскостно-осевая; 6) одноплоскостно-осевая. Практически наиболее распространенным типом ориентации является тип 4, осуществляемый в волокнах, который соответствует аксиальной текстуре по - Китайгородскому. В пленках может иметь место тип ориентации 2, 3 и б в зависимости от метода получения пленки и структуры полимера. [24]
Однако в процессе получения пленок возможны изменения надмолекулярной структуры, которая зачастую сама является объектом исследования. При анализе колебаний групп, концентрация которых в полимере низка, оптимальная толщина составляет от 0 01 до нескольких мм; для полярных веществ - менее 5 мкм. При этом важны не только правильный выбор толщины, но и равномерное распределение вещества в прозрачной области пленки ( иначе возможны ошибки, о которых сообщалось в разд. Кроме того, пленка должна быть гомогенной, чтобы потери света в результате рассеяния были минимальны и чтобы избавиться от непроизвольного ориентирования частиц анализируемого вещества, происходящего при получении и обработке пленки. По такой методике не только получается более прочная система ( пленка на подложке), но и устраняется трудоемкая операция по отделению пленки от подложки. Подложка позволяет избавиться также от интерференции света. Ниже рассмотрены некоторые методы получения пленок. Выбор метода определяется поставленной задачей и физическими свойствами образца. [25]
После смыва защитной пленки в карманах формируют р-п-переходы. Термокомпрессию используют для приваривания внешних выводов. В этом случае схема содержит от 10 до 100 логических элементов. Отметим также, что эти факторы взаимосвязаны. Этот элемент относится к пассивным элементам микросхем. Пассивные элементы целесообразно формировать в пленке. Применяют также резистивные и диэлектрические пленки. Диапазон толщин пленок значительно шире. Применяют и другие материалы: ситалл, сапфир. Толщину изменяют шлифовкой, ширину - лазерным лучом. Метод химического осаждения применяют только для толстых пленок. Этот метод применяют для нанесения любого фоторезиста. И то, и другое важно при формировании ИМС. При этом каждая микросхема может быть очень сложной. В других ответах указаны методы получения пленки. Для этого в осаждаемые молекулы добавляют примеси. Кремниевые подложки широко применяют в эпитаксиальных структурах. Для получения карманов нужны дополнительные технологические операции. Меняя маски, меняют области проникновения примесей. [26]