Метода - полупроводниковая технология
Cтраница 1
Методы полупроводниковой технологии используются для создания на единой подложке активных элементов ( транзисторов, диодов и др.) и пассивных элементов ( резисторов, конденсаторов) ИС. [1]
Современные синхронные элементы в такой же мере пригодны для производства методами интегральной полупроводниковой технологии, как и потенциальные элементы. [2]
 |
Диэлектрическая изоляция в монолитной ИМС. [3] |
На рис. 11.1 схематично показано поперечное сечение кристалла кремния, в котором методами полупроводниковой технологии получен транзистор вместе с коллекторным резистором. Коллектор 1 ( электропроводность и-типа), база 2 ( электропроводность р-типа) и эмиттер 4 ( электропроводность и-типа) образуют и-р-и-транзистор. Все эти зоны выполнены так, что они имеют выход на поверхность кристалла. На поверхности кристалла получен слой диэлектрика ( двуокиси кремния) 6, в котором имеются окна, открывающие доступ к отдельным зонам кристалла. [4]
Схемы ТТЛ в настоящее время наиболее популярны, они реализуются в основном методами полупроводниковой технологии и имеют малую площадь, занимаемую элементами. [5]
Отечественной промышленностью освоен ( выпуск целого ряда серий линейных микросхем, изготовляемых методами полупроводниковой технологии ( КП8, К122, К. Следует отметить, что число разновидностей серий гибридных микросхем и их состав значительно больше полупроводниковых. [6]
 |
Основные логические схемы типа ТТЛ. а с простым инвертором. б со сложным инвертором.| Основная логическая схема типа ТЛПТ. [7] |
Микросхемы типа ТТЛ в настоящее время наиболее популярны, они реализуются в основном методами полупроводниковой технологии. [8]
Пассивная схема может содержать тонкопленочные резисторы и конденсаторы, номиналы которых не создаются методами полупроводниковой технологии. [9]
Последние представляют собой блок ( пластинку) из кремния или германия, на которой методами полупроводниковой технологии образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов. Одни из подобных зои ( активные) выполняют роль транзисторов и диодов, другие ( пассивные зоны) - роль сопротивлений, емкостей и индуктивностей. [10]
Интегральные полупроводниковые микросхемы ( или просто полупроводниковые микросхемы) - микросхемы, в которых все входящие в схему элементы выполнены методами полупроводниковой технологии в объеме полупроводниковой монокристаллической пластины. [11]
Совмещенные полупроводниковые микросхемы ( или просто совмещенные микросхемы) - микросхемы, в которых большая часть входящих в схему элементов выполнена методами полупроводниковой технологии в объеме полупроводниковой пластины, а часть элементов ( обычно резисторы, конденсаторы и соединительные проводники) выполнена на поверхности полупроводника методами пленочной технологии. [12]
 |
Методы изоляции элементов в полупроводниковых ИС. [13] |
В этих вариантах построения ИС на изолирующей подложке с пассивными элементами и коммутационным слоем подключаются бескор-иусные полупроводниковые элементы или бескорпусные полупроводниковые ИС. При этом достигается оптимальное сочетание высоких технических характеристик активных элементов, выполненных методами полупроводниковой технологии, и пассивных элементов, выполненных методами пленочной технологии. [14]
Сочетание полупроводниковых и тонкопленочных методов используется также при изготовлении совмещенных ИС. В совмещенных ИС в качестве подложки служит монокристаллическая пластина полупроводника, в которой методами полупроводниковой технологии формируются все необходимые активные элементы. На поверхности подложки методами тонкопленочной технологии формируются пассивные элементы и соединительные проводники. [15]
Страницы: 1 2