Метода - полупроводниковая технология
Cтраница 2
Твердые схемы - микроминиатюрные радиоэлектронные схемы, работа которых основана на использовании различных эффектов, имеющих место в твердом теле. Последние представляют собой блок ( пластинку) из кремния или германия, на которой методами полупроводниковой технологии образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов. Одни из подобных зон ( активные) выполняют роль транзисторов и диодов, другие ( пассивные зоны) - сопротивлений, емкостей и индуктивностей. [16]
 |
Полупроводниковый датчик вакуума.| Датчик детонации фирмы Бош. [17] |
Для цифровых и микропроцессорных систем применяют полупроводниковые датчики вакуума. Полупроводниковые устройства / основаны на явлениях, связанных с деформацией кремниевой пластины, на которую методами интегральной полупроводниковой технологии нанесены пьезорезисторы. Пьезорезисторы соединены мостовой схемой. Деформация пластины вызывает разбалансировку моста и появление на его выходе напряжения, пропорционального давлению. В качестве законченного конструктивного изделия фирмой Хоневел ( США) выпускаются полупроводниковые датчики вакуума в виде монолитного корпуса с вмонтированным чувствительным элементом и стабилизированным усилителем. [18]
Модуль - простейшая законченная конструкция, состоящая из элементов. Он имеет стандартные размеры, принятые за эталон для данной модульной системы. Модуль, собранный из комплекса специальных микроэлементов, называют микромодулем. Микросхемы ( пленочные, твердые, гибридные) - это модули малых размеров, изготовляемые методами пленочной и полупроводниковой технологии. [19]
Изготовление тонкопленочных элементов производится с помощью различных методов осаждения материалов на изолирующую подложку. Толстопленочные элементы изготовляются из стеклообразующих окислов с наполнителями, приготовленных в виде паст. Пасты наносятся через трафарет на изолирующую подложку, после чего производятся сушка и вжигание. Созданные образцы тонкопленочных и толстопленочных активных элементов на полнкрис-таллических полупроводниках существенно уступают по своим техническим характеристикам и стабильности параметров аналогичным приборам, изготовленным на монокристаллических полупроводниках методами полупроводниковой технологии. Ухудшение параметров в пленочных поликристаллических и аморфных структурах происходит вследствие нестабильности положения границ р-п переходов и сильного влияния поверхностных состояний материала. [20]
Системы непрерывного действия более целесообразно использовать для нанесения пленок на всю площадь поверхности подложки, например, для металлизации лент, плоских заготовок и пластиковых изделий или для изготовления оптических покрытий линз. Если требуется определенная конфигурация слоя, то в процессе напыления применяют маски или используют метод травления уже напыленного слоя. Однако метод дифференциального травления, вообще говоря, не применим для получения многослойных пленочных структур методом напыления, ради которых, собственно, и были созданы рассматриваемые высокомеханизированные системы. Поэтому для изготовления многослойных микроэлектронных схем приходится применять маски и устройства для их смены. Большие трудности возникают при прецизионном совмещении последовательно серии масок с подложкой внутри вакуумной системы. Непосредственный контакт маски с подложкой может привести к нежелательному изменению маски из-за теплового расширения или коробления. Однако еще более существенно то, что по мере миниатюризации тонкопленочных элементов техника напыления оказывается уже не в состоянии обеспечить требуемую точность размеров, реализуемую лишь с помощью прецизионных фотолитографических методов ( см. гл. Именно поэтому в последние годы использование автоматизированных напылительных систем для микроэлектронных применений заметно снизилось. Растущий объем производства полупроводниковых микросхем, изготавливаемых методами полупроводниковой технологии, делает с экономической точки зрения все более привлекательным применение простых систем непрерывного действия для осаждения лишь одного слоя. [21]
Страницы: 1 2