Метода - выращивание
Cтраница 1
Методы выращивания однородно легированных по длине монокристаллов полупроводников с использованием подпитки кристаллизуемого расплава обеспечивают получение монокристаллов с совершенной структурой. Они могут служить основой непрерывных процессов получения монокристаллов полупроводников, обладающих высокой производительностью и стабильностью параметров продукции. [1]
Методы выращивания слоев AJGaAs позволяют создавать чистые границы раздела. На рис. 5.3 показана связь между шириной запрещенной зоны и параметром решетки соединений из элементов А1, Ga, In, P, As и Sb. [3]
Методы выращивания удобно рассматривать, взяв за основу используемый растворитель, так как и оборудование, и область применимости, и проблемы, и подход - все это в значительной степени определяется выбором растворителя. Но нужно иметь в виду, что более правильно было бы, по-видимому, классифицировать методы по способу создания пересыщений. [4]
Методы выращивания из пара привлекательны именно возможностью получения кристаллов с малой плотностью дислокаций. В настоящее время эти методы считаются весьма перспективными и подвергаются систематическому исследованию. [5]
Методы выращивания даже многолетних видов, таких, как яблони и кофе, в качестве пионеров вторичной сукцессии были быстро разработаны, отчасти чтобы освободиться от трудных проблем борьбы с болезнями и вредителями, которые характерны для более постоянных насаждений. Фактически регулируемые изменения часто практически легче осуществимы, а также намного более выгодны, чем устойчивое равновесие. В сельском хозяйстве разнообразие чаще связано не со стабильностью, а с изменениями. [6]
Методы выращивания пленок из жидкой фазы могут быть классифицированы по способам создания пересыщения в растворе и по температурным условиям кристаллизации. Пересыщение в растворе может создаваться понижением температуры раствора, испарением растворителя в изотермических условиях, подпиткой из твердой фазы ( при наличии градиента температуры), наложением электрического поля, создающего поток кристаллизующихся компонентов к фронту кристаллизации. [7]
Методы выращивания крупных кристаллов для веществ с узкой областью температур, в которой кристаллы могут расти без спонтанного образования зародышей, должны быть еще разработаны. Значительных успехов следует ожидать и от исследований влияния состава газовой питающей фазы ( ее сложности [204]) на скорость образования зародышей и на внешний вид кристаллов. [8]
Методы выращивания монокристаллов полупроводников из расплава ограничиваются их свойством расширяться при затвердевании подобно воде. Поэтому применение всех методов, в которых выращиваемый кристалл находится в процессе роста в контакте со стенками сосуда, вмещающего расплав, исключается. [9]
Методы выращивания монокристаллов полупроводников из расплава ограничиваются их свойством расширяться при затвердевании подобно воде. Поэтому применение всех методов, в которых выращиваемый кристалл находится в процессе роста в контакте со стенками сосуда, вмещающего расплав, исключается. [10]
Методы выращивания тройных арсенидов и антимонидов при помощи газотранспортных реакций в литературе не описаны. Наши опыты, поставленные для выяснения возможности выращивания кристаллов CdSnAs2) а также некоторых тройных антимонидов с помощью различных транспортеров пока не дали положительных результатов. [11]
Представлены методы выращивания рыбы в прямоточных бассейнах, установках с замкнутым циклом и садках. [12]
Обсуждая методы выращивания кристаллических минералов и, в частности, методы синтеза цеолитов, Баррер выразил сомнение в том, что указанными методами действительно были синтезированы шабазиты. [13]
Существуют методы выращивания крупных кристаллов металлов весом до нескольких килограммов. [14]
В методе выращивания при изменении температуры раствора, как бы часто в разумных пределах ни изменялась температура, пересыщение вблизи растущего кристалла изменяется скачкообразно. [15]
Страницы: 1 2 3 4