Метода - выращивание
Cтраница 2
В методах выращивания из газовой фазы особенно важное значение имеют процессы, связанные с переносом, тогда как процессы, связанные с третьей стадией, являются общими для многих других методов и рассмотрены ранее ( гл. [16]
Ниже излагаются методы выращивания монокристаллов. [17]
Существуют разлитаые методы выращивания пьезоэлектрических пленок, таких как CdS, ZnS и ZnO, путем терИческого испарения в вакууме. Так как температуры, необходимые для испарения этих материалов, гораздо больше, чем температуры их разложения, во всех случаях паровая фаза состоит из атомов отдельных элементов. [18]
Достоинство этого метода выращивания монокристаллической пленки из газовой фазы состоит в том, что процесс выращивания пленки и распределения в ней примесей протекает при относительно невысоких температурах, когда диффузионными процессами, нарушающими заданное распределение примесей, можно пренебречь. [19]
Наиболее распространены расплавные методы выращивания большинства монокристаллов. Основное достоинство этих мето - дов - возможность получения больших скоростей роста, недостижимых ни гидротермальным методом, ни методом выращивания из газовой фазы. [20]
Обычно все методы выращивания металлических монокристаллов делят на три группы в соответствии с исходным агрегатным состоянием металла. К первой группе относят так называемые рекристаллизационные методы, в которых монокристаллы выращиваются из полпкристаллическпх образцов без расплавления ( в твердом состоянии), путем определенным образом проводимой механической и термической обработки. [21]
 |
Схема закрытого контейнера. [22] |
Описанные выше методы выращивания монокристаллов граната зеленого цвета недостаточно технологичны, получаемая продукция имеет относительно высокую себестоимость. [23]
Существуют и др. методы выращивания, напр, электролиз с образованием кристаллов на электродах. В нек-рых случаях Н.к. выращивают на подложке из армирующего волокна и в таком виде используют ( напр. [24]
Известны четыре основных метода выращивания металлических монокристаллов: кристаллизация из расплава в вакууме, электроосаждение, конденсация и разложение в парах, метод деформаций и отжига. [25]
Однако, поскольку экономичные методы выращивания идеальных кристаллов еще не найдены, приходится прибегать к более совершенным механическим методам разделения твердой и жидкой фаз. Обычно применение центрифуг для разделения кристаллов и маточного раствора заслуживает предпочтения перед фильтрами, так как использование центробежной силы обеспечивает повышенную четкость разделения. [26]
Все больше используются гидротермальные методы выращивания полупроводниковых кристаллов, которые часто применяются при получении люминофоров. Метод основан на том, что некоторые вещества с ничтожной растворимостью в воде при комнатной температуре заметно растворяются в ней при достижении критической температуры. Вдоль стальной бомбы, рассчитанной на критическое давление воды, создают небольшой температурный градиент. В более холодной части реакционного пространства на затравке вырастает монокристалл. Бомбу с раствором и затравкой нагревают выше критической температуры воды при сохранении температурного перепада. Преимущество этого метода - низкая температура выращивания монокристаллов, благодаря чему можно получить вещества, очень близкие к стехиометри-ческому составу. [27]
Третью группу методов составляют методы выращивания монокристаллов из растворов или конденсацией из газовой фазы. Эти методы редко используются для получения металлических монокристаллов и поэтому нами рассматриваться не будут. [28]
Объемные кристаллы кремния выращивают методами выращивания из расплава и бестигельной вертикальной зонной плавки. Второй метод используется для получения высокоомных монокристаллов кремния с малым содержанием остаточных примесей. [29]
С другой стороны, развиваются методы выращивания высокосовершенных, крупных и особо крупных монокристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3 4