Механизм - зародышеобразование
Cтраница 2
В соответствии с данными табл. 3.3 при п 3 можно полагать, что механизм зародышеобразования гомогенный, а рост кристаллических структур имеет преимущественно двухмерный характер. Обычно кинетика кристаллизации полимера может быть описана как брутто-процесс, так как разделить стадию зародышеобразования и собственно рост кристаллической фазы невозможно. [16]
Вычисления не вызывают принципиальных трудностей, если речь идет о реакциях, происходящих по механизму зародышеобразования с равномерным по объему распределением вероятности. Другое дело, если Зародышеобразование связано с присутствием распределенных в объеме реагента потенциальных зародышей. Действительно, математические приемы, основанные на понятии о фиктивной степени превращения, справедливы только в случае, если зародыши распределены по случайным законам. Кроме того, формулы, относящиеся к этому типу зародышеобразования, сложнее, так как они должны учитывать исчезновение потенциальных центров не только в результате поглощения, но и вследствие активации: для зародышеобразования с равномерным по объему распределением вероятности этим эффектом можно пренебречь. [17]
Полученные теоретические результаты весьма ценны при исследовании основных кинетических характеристик реакций, происходящих по механизму зародышеобразования в объеме. Несомненно, они не позволяют рассчитать все основные константы, а только группы констант. В некоторых случаях определение последних величин может оказаться достаточным, так как они полностью определяют суммарную кинетику процесса. В иных случаях эти группы констант составляют лишь часть необходимых кинетических данных; другие же константы определяются из измерений в условиях, когда основные процессы выделены, или из измерений размеров зародышей, аналогичных указанным выше. Хотя первые теоретические построения, основанные на модели Джонсона и Меля, датируются тридцатыми годами, данные, приведенные в настоящей главе, в особенности графики, представляют собой фактически первую публикацию, ставящую целью применение при практической интерпретации экспериментальных результатов. [18]
Даже если абстрагироваться от возможных эффектов подобного рода, все равно надо признать, что механизм химического зародышеобразования довольно сложен. По-видимому, нелегко предвидеть ( даже качественно) то влияние, которое могут оказать на Зародышеобразование различные экспериментальные параметры. Рассмотрим, например, влияние повышения температуры. Протекание первичных химических реакций, предшествующих зародышеобразованию, при повышении температуры должно облегчаться. Но влияние температуры на процесс ассоциации промежуточных частиц в зародыш значительно сложнее. [19]
Кривая 1 относится к нулевым значениям параметров р и q и характеризует реакцию, протекающую по механизму зародышеобразования с постоянной во времени и равномерной в пространстве вероятностью, причем зародыши совершенно не растут. Формально это реакция первого порядка: происходящее с постоянной вероятностью превращение элементов объема, приводящее к возникновению зародышей, играет роль, аналогичную элементарному превращению одной молекулы в гомогенных реакциях первого-порядка. Следовательно, тип реакции, соответствующий кривой 1, представляет совершенно особый случай для кинетики гетерогенных реакций. [20]
Система нелинейных уравнений для каждого механизма зародышеобразования включает уравнение для 0-безразмерного нормализованного нулевого момента функции распределения, соответствующее механизму зародышеобразования, и уравнения для безмерных первого, второго и третьего моментов плотности функции распределения, которые являются общими для всех механизмов зародышеобразования. [21]
АЯоо и АЯ - высота изменения уровня ртути при бесконечном: времени и времени т соответственно; k - константа скорости; п - константа, зависящая от механизма зародышеобразования и роста кристаллов. [22]
Система нелинейных уравнений для каждого механизма зародышеобразования включает уравнение для 0-безразмерного нормализованного нулевого момента функции распределения, соответствующее механизму зародышеобразования, и уравнения для безмерных первого, второго и третьего моментов плотности функции распределения, которые являются общими для всех механизмов зародышеобразования. [23]
Кроме того, за время проведения всего эксперимента, когда каждое значение средней интенсивности получалось примерно в течение часа, не наблюдалось спонтанных переходов между двумя состояниями в области бистабильности. По нашему мнению, разумным объяснением этого факта является действие механизма зародышеобразования в данной системе с бистабильностью, индуцированной шумом. Благодаря интенсивному перемешиванию любые капли, находящиеся в одном состоянии, дробятся в реагирующей смеси до того, как они дорастают до критического размера, необходимого для перехода системы в другое состояние. Таким образом, перемешивание стабилизирует два состояния и приводит к наличию узких пиков плотности вероятности. Такой механизм зародышеобразования отсутствует в электрических контурах, изученных Кабаси-мой и др., поскольку эти системы являются системами с нулевой размерностью. С теоретической точки зрения эти результаты показывают, что количественное описание фазовых переходов, индуцированных шумом в системах в ненулевой размерностью, требует учета в уравнениях пространственной зависимости, даже если в среднем система остается однородной. Для таких систем можно ожидать, что в общем случае теория среднего поля, основанная на СДУ, которое не учитывает возможность пространственной неоднородности, дает качественно хорошее описание фазовых переходов, индуцированных шумом. Однако флуктуации от пространственно-однородного состояния могут количественно изменить предсказания теории среднего поля, как это происходит в теории классических фазовых переходов в равновесных системах. [24]
Такое разрешение оказывается вполне достаточным для многих исследований. К числу электронномикроскопических способов изучения структуры поверхности относится также методика декорирования, предложенная Бассеттом [111] на основе изучения механизма зародышеобразования на кристаллических поверхностях. Поскольку эта методика непосредственно связана с проблемой эпитаксии, мы вернемся к ее описанию в гл. [25]
Причина подобного явления заключается в том, что вводимая в раствор примесь может не только изменять вязкость, но и механизм зародышеобразования. Видимо, введение гуммиарабика и глюкозы хоть и повышало вязкость раствора, вместе с тем снижало его стабильность за счет понижения работы образования зародышей. [26]
Общим во всех описанных опытах является сильная зависимость N от AT. Особенно ярко эта зависимость выражена в случаях, когда причиной зародышеобразования являются прямые соударения в перемешиваемом растворе и простые касания затравочным кристаллом стеклянного стержня. Причины такого явления обсуждались при описании механизмов контактного зародышеобразования. Они связаны с зависимостью от степени пересыщения или переохлаждения раствора, рельефа поверхности кристаллов и способности вновь возникших частиц к дальнейшему росту. [27]
При эпитаксиальном росте пленок важно, как4 проходит начальная стадия осаждения, соответствующая по времени достижению постоянных условий формирования пленки на поверхности кристалла-подложки. Почти во всех случаях гетероэпитаксии, за исключением весьма чистых условий гомоэпитаксии, на начальной стадии роста образуются трехмерные зародыши, участвующие в формировании системы ступеней роста поверхности пленки. Поэтому при изучении процессов роста пленок начальной стадии и механизму зародышеобразования должно быть уделено особое внимание. [28]
Использование уравнения (V.7) для определения растворимости возможно в тех случаях, когда мы имеем дело с многокомпонентными системами. Если из такой системы кристаллизуется лишь одно вещество и если остальные компоненты играют роль примесей, изменяющих растворимость этого вещества, можно определить ccq по данным об индукционных периодах. Такой расчет возможен при условии, что примеси не изменяют механизма зародышеобразования и nN в их присутствии остается тем же, что и в бинарных системах. [29]
 |
Изокинетическая кривая. [30] |
Страницы: 1 2 3