Механизм - рассеяние - носитель - заряд
Cтраница 1
Механизм рассеяния носителей заряда на продольных акустических фононах является основным при высоких температурах для ковалентных кристаллов. Для кристаллов со значительной долей ионности в связях ( например, In, Sb, GaAs, Cu3Te) электроны сильнее взаимодействуют с дипольными моментами, возникающими при смещениях разноименно заряженных ионов в ячейке, что соответствует рассеянию электронов на оптических фононах. Для описания рассеяния носителей заряда на оптических фононах1 используется понятие поляризационного потенциала, аналогичного по форме деформационному. При разделении зарядов ионов в ячейках по кристаллу распространяется плоская волна напряженности электрического поля. [1]
Существует два механизма рассеяния носителей заряда дислокациями. Первый обусловлен полем упругих напряжений вблизи дислокации. Упругие напряжения вызывают локальные изменения объема кристалла, и, следовательно, имеется некоторая аналогия с деформацией, которая проявлялась в случае рассеяния тепловыми фононами. [2]
Для определения механизма рассеяния носителей заряда в диапазоне температур 100 - 300 К проведен расчет i и параметра рассеяния г с использованием экспериментальных данных по а, Q, Л, а. [3]
Величина подвижности зависит от механизма рассеяния носителей заряда в полупроводнике, который определяется типом химической связи кристаллической решетки, наличием примеси и других кристаллических дефектов полупроводника. [4]
Коэффициент пропорциональности и зависит от механизма рассеяния носителей заряда и называется подвижностью. [5]
Число Лоренца в этом случае зависит от механизма рассеяния носителей заряда. [7]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей в база диода с тонкой базой. [8] |
При высоком уровне ишкекцкн может проявляться еще одни механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [9]
 |
Значения приведенного уровня Ферми. [10] |
Наиболее просто это можно сделать, если известен механизм рассеяния носителей заряда. [11]
При высоком уровне инжекции может проявляться еще один механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [12]
При высоком уровне инжекции может проявляться еще один механизм рассеяния носителей заряда - рассеяние носителей на носителях, что приводит к уменьшению подвижности и коэффициента диффузии носителей заряда. Однако это явление часто можно не принимать во внимание, так как оно начинает сказываться при сравнительно больших концентрациях инжектированных носителей. [13]
А - коэффициент, зависящий от степени вырождения электронного газа и механизма рассеяния носителей заряда. [14]
 |
Возникновение э. д. с. Холла в полупроводнике с электропроводностью / z - типа ( а, е и р-типа ( б, г. [15] |
Страницы: 1 2 3