Механизм - рассеяние - носитель - заряд
Cтраница 2
Величина множителя А находится в диапазоне от 1 до 2 и зависит от механизма рассеяния носителей заряда. [16]
Значение множителя А находится в диапазоне от 1 до 2 и зависит от механизма рассеяния носителей заряда. [17]
 |
Зависимость температуры, соответствующей максимуму подвижности от концентрации ионов. [18] |
Для кристаллов германия и кремния р-типа этот метод неприменим из-за того, что сложность механизмов рассеяния носителей заряда в них не позволяет найти столь простую градуировочную кривую Т0 f ( Nt) как для германия и кремния - типа. [19]
Коэффициент р ( см2 / В2), определяющий нелинейность ВАХ образцов, зависит от механизма рассеяния носителей заряда. При низких температурах, когда рассеяние носителей происходит в основном на ионизированных примесных центрах, р0 и для л - InSb при 4 2 К его значение составляет несколько десятков. [20]
Это налагает ограничение, вследствие которого циклотронный резонанс может наблюдаться только в чистых полупроводниках, у которых еще не сказывается примесный механизм рассеяния носителей заряда. [21]
Зависимость времени релаксации от энергии в виде степенного закона показывает, что (6.32) нужно умножить на коэффициент Y, связанный с механизмом рассеяния носителей заряда: ЫЗ при рассеянии на колебаниях решетки; у 3 4 при рассеянии на ионах примеси. [22]
Холла, можно найти наряду со знаком носи - телей заряда их концентрацию и характер изменения подвижности, который, как мы увидим ниже, определяет механизм рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Соотношение (1.48) называется формулой Друде. [23]
В обоих случаях для полупроводника с одним типом носителей заряда магнитосопротивление в области слабых магнитных полей пропорционально ( ц В) 2 или ( ц Р5) 2; оно выражается через коэффициенты а и аг, зависящие от механизма рассеяния носителей заряда. [24]
Подвижность носителей заряда зависит от многих факторов, важнейшими из которых являются температура Т, концентрация примесных атомов N я напряженность электрического поля при ЕЕхр. Зависимость подвижности от температуры определяется механизмом рассеяния носителей заряда. Рассмотрим основные из механизмов рассеяния - на тепловых колебаниях решетки и ионизированных примесях, учитывая, что первый из них является определяющим при высоких, а второй - при низких температурах. [25]
 |
Температурные зависимости холловской подвижности основных носителей в образцах кремния, указанных на, а - ( а и на, б - ( б. [26] |
Точное значение коэффициента термо - ЭДС кремния указать весьма трудно, так как он зависит от чистоты и совершенства кристаллов. Кроме того, коэффициент тер-мо - ЭДС является функцией механизма рассеяния носителей заряда. [27]
 |
Искривление траектории движения носителя заряда в магнитном поле и возникновение угла Холла. [28] |
Более строгое рассмотрение эффекта Холла на основе кинетического уравнения Больцмана, которое будет приведено ниже, показывает, что коэффициент Холла R должен учитывать механизм рассеяния носителей заряда через некоторую константу А. [29]
 |
Эффект Холла в образцах п - и р-типов полупроводников. [30] |
Страницы: 1 2 3