Cтраница 1
Механизм релаксации связан с постепенным перемещением дислокаций за счет поперечного скольжения и переползания даже в условиях снижающегося внешнего напряжения. Как и при ползучести, в процессе высокотемпературной релаксации напряжений пластическая деформация сопровождается образованием суб-зеренной структуры и смещениями по границам кристаллитов. Скорость релаксации обычно прямо связана со скоростью ползучести; чем выше сопротивление ползучести, тем больше релаксационная стойкость. [1]
Механизм релаксации отличается от механизма нолзучестп. [2]
Механизм релаксации энергии раскрывается в экспериментах с горячими электронами Ш) зависимости ц или Дые от сильного электрич. [3]
Механизм релаксации колебательной энергии в жидкой фазе, по Литовицу [73], принципиально не отличается от газофазного механизма, и, таким образом, можно ожидать, что подобные эффекты наблюдаются и в жидкой фазе. Однако в имеющейся в нашем распоряжении литературе таких примеров нами не найдено. Именно поэтому только с помощью доскональной и осмотрительной проверки можно решить, законно ли рассматривать на основе реакций горячих радикалов приведенные выше и подробно рассмотренные нами экспериментальные данные. [4]
Более сильным механизмом релаксации, который в отличие от механизма Валлера не зависит от концентрации магнитных ионов, является модуляция поля лигандов колебаниями решетки. Колебания решетки создают флуктуирующее электрическое поле, которое модулирует орбитальное движение магнитных электронов. Не существует прямого взаимодействия флуктуирующего электрического поля с электронными спинами, но они ощущают влияние модуляции орбитального движения через спин-орбитальную связь точно таким же образом, как влияние статического поля лигандов. Результирующие времена спин-решеточной релаксации поэтому сильно зависят от величины орбитального момента свободного иона или от степени его замораживания статическим полем лигандов. В грубом приближении следует ожидать большие времена спин-решеточной релаксации, когда значение - фактора близко к значению 2 0023 для свободного спина, и малые времена релаксации, когда значение g заметно отличается от этой величины. Объектами первого типа являются, например, изолированные спины, связанные с дефектами, а также ионы переходных групп, которые имеют наполовину заполненную электронную оболочку и основным состоянием которых является S-состояние. С другой стороны, малые времена релаксации обнаруживаются для ионов 4 / -, 5 / - групп ( за исключением ионов, имеющих наполовину заполненную оболочку f - 7) и для тех ионов d - групп, основное состояние которых остается орбитально вырожденным ( фиг. Многие детали теории будут рассмотрены ниже. [5]
Этот механизм релаксации представляет собой косвенное взаимодействие спина электрона с колебаниями решетки. Например, колебания решетки могут модулировать орбитальное движение электрона, которое связано с его спином вследствие спин-орбитального взаимодействия. [6]
Эти механизмы релаксации были уже кратко обсуждены в гл. Как правило, релаксация ядер 13С определяется диполь-дипольным механизмом, поэтому следует рассмотреть этот механизм релаксации несколько более подробно. [7]
Третий механизм спинтрешеточной релаксации реализуется, когда магнитное ядро взаимодействует с парамагнитной частицей. Если в изучаемом образце имеются частицы с нечетным числом электронов, то релаксация с их участием настолько сильно доминирует над другими механизмами релаксации, что часто это приводит к уширению линий ( разд. [8]
Зная механизм релаксации дефектов в кристалле, можно оценить изменение концентраций дефектов во времени и, что особенно важно с практической точки зрения, рассчитать концентрацию дефектов, замороженную в кристалле при его охлаждении. [9]
Влияние механизмов релаксации на эти свойства зависит от коэффициентов, содержащих средние интегралы т; оно максимально для невырожденного электронного газа. [10]
Третьим механизмом релаксации осевых напряжений служит разрыв цепи вследствие разрыва гемолитической связи, распада ионов или снижения скорости химических реакций. [11]
В механизме релаксации, обусловленной модуляцией диполь-дипольных взаимодействий, вероятность релаксационных переходов зависит от параметров, стоящих в диполь-дипольном гамильтониане, и, в частности, от статистики распределения парамагнитных центров по объему образца. Это означает, что в этих случаях время спин-решеточной релаксации зависит от концентрации паремагнитных центров. [12]
Такой же механизм релаксации приписывается некоторыми авторами [48-53] и релаксационным явлениям, обнаруженным в производных циклогексана. [13]
Вначале рассматривается механизм релаксации поля через взаимодействие с двухуровневыми атомами, проходящими через резонатор и распределенными по закону Больцмана. Атомы предполагаются долгоживущими и моноэнергетическими, так что они взаимодействуют с полем в резонаторе в течение фиксированного времени г. Затем мы возвращаемся к модели резервуара осцилляторов, обобщая рассмотрение и выходя за пределы марковского приближения. [14]
Рассмотренные выше механизмы релаксации молекул относились к слу - чаю, когда между сталкивающимися молекулами в основном действуют силы отталкивания или слабого притяжения. [15]