Механизм - рост
Cтраница 1
Механизм роста германиевых слоев при восстановлении GeCl4 водородом. В этих условиях скорость роста определяется поверхностными явлениями. При высоких температурах скорость роста не зависит от температуры и с ростом потока становится больше. Здесь определяющим механизмом процесса является перенос вещества к поверхности кристаллизации. [1]
Механизм роста, изложенный выше, был разработан Беккером и Дерингом в количественную теорию в 1935 г. Были решены очень сложные задачи, для того чтобы дать единое аналитическое выражение для скорости роста. К сожалению, эта теория была разработана прежде, чем стало ясно, какую роль играет поверхностная диффузия. [2]
Механизм роста, описываемый уравнением (2.2), не может сохраняться сколь угодно долго. [3]
Механизм роста паровых пузырьков на поверхности нагрева при кипении. [4]
 |
Схематическое изображение роста кристалла за счет винтовой дислокации. [5] |
Механизм роста в этих условиях становится другим. Он связан с дефектами в структуре кристаллов. К ним, в частности, относятся обусловливающие рост дислокации. [6]
Механизм роста тонких гомоэиитаксна. [7]
Механизм роста паровых пузырьков на поверхности нагрева при кипении. [8]
Механизм роста усов с основания менее понятен. [9]
Полинуклеарный механизм роста действует в условиях, при которых время образования двухмерного зародыша на грани меньше времени образования монослоя. [10]
Механизм роста зерна аустенита, так же как и зерна любого металла, заключается в том, что атомы с решетки мелких зерен перескакивают на решетку более устойчивых крупных. В результате происходит поглощение неустойчивых мелких зерен аустенита их крупными соседями. [11]
Механизм роста поверхностных трещин был изучен Гребенщиковым, который показал, что поверхность стекла в обычных условиях покрыта коллоидным слоем, постепенно набухающим за счет поглощения молекул воды. Внутри трещины такое набухание кремниевых коллоидов приводит к расталкиванию стенок и создает напряжение вполне измеримой величины, которое непосредственно наблюдалось Гребенщиковым. Таким образом, всякая поверхностная трещина уже в нормальном состоянии оказывается под значительной нагрузкой, создаваемой коллоидом; поэтому достаточно небольшой дополнительной нагрузки, чтобы вызвать рост трещины. [12]
 |
Строение ленты ленточной сушилки. [13] |
Механизм роста крупных частиц за счет мелких можно представить себе различно. Можно также предположить, что рост одних частиц за счет других происходит в результате соприкосновения между собой двух мелких частиц ( агломерации) и перехода молекул с меньшей частицы на более крупную. Рост крупных частиц за счет мелких может происходить, наконец, в результате растворения мелких частиц в пленке расплавленных посторонних солей ( хлористого натрия), окружающей крупные частицы. Растворившееся вещество диффундирует к поверхности крупной частицы и осаждается на ней. [14]
Механизм роста нитевидных кристаллов Сире связывает с особо большой ролью дислокаций [ особенно винтовых дислокаций ( см. 10.3.2) ], которые расположены в направлении оси нитевидного кристалла. Таким образом, на свободной торцовой грани кристалл растет по спиралям, в то время как боковые грани усов растут только через образование плоских зародышей. Следовательно, для образования усов переохлаждение должно быть меньше критического, при котором происходит рост кристалла через двухмерные зародыши. Отсюда вытекает, что ограничивающими поверхностями усов являются основные грани роста, которые растут от плоских зародышей. В большинстве случаев они действительно наблюдаются экспериментально как ограничивающие элементы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5