Механизм - рост
Cтраница 2
 |
Складывание макромолекулы в кристалле.| Единичные кристаллы и сферолиты изотакти-ческого полибутилена. [16] |
Механизм роста пластинчатых кристаллов аналогичен росту кристаллов обычных низкомолеку-лярных парафинов. [17]
 |
Строение ленты ленточной сушилки. [18] |
Механизм роста крупных частиц за счет мелких можно представить себе различно. Можно также предположить, что рост одних частиц за счет других происходит в результате соприкосновения между собой двух мелких частиц ( агломерации) и перехода молекул с меньшей частицы на более крупную. Рост крупных частиц за счет мелких может происходить, наконец, в результате растворения мелких частиц в пленке расплавленных посторонних солей ( хлористого натрия), окружающей крупные частицы. Растворившееся вещество диффундирует к поверхности крупной частицы и осаждается на ней. [19]
Механизм роста поверхностных трещин был изучен Гребенщиковым, который показал, что поверхность стекла в обычных условиях покрыта коллоидным слоем, постепенно набухающим за счет поглощения молекул воды. Внутри трещины такое набухание кремниевых коллоидов приводит к расталкиванию стенок и создает напряжение вполне измеримой величины, которое непосредственно наблюдалось Гребенщиковым. Таким образом, всякая поверхностная трещина уже в нормальном состоянии оказывается под значительной нагрузкой, создаваемой коллоидом; поэтому достаточно небольшой дополнительной нагрузки, чтобы вызвать рост трещины. [20]
Механизмы роста идеальных кристаллов путем образования двумерных зародышей или роста кристаллов в результате незарастающих ступенек, создаваемых на поверхности винтовыми дислокациями, хотя и присущи росту реальных кристаллов, но лишь в специальных условиях обусловливают скорость и особенности их роста. Действительно, в реальных условиях роста, где имеют место значительные колебания температуры и концентраций частиц питающей фазы в различных точках растущей грани, следует считать, что эта последняя всегда характеризуется шероховатостью. Шероховатость на идеально ориентированной естественно гладкой грани возникает за короткое время после начала роста вследствие колебаний внешних условий, так как вероятность образования двумерных зародышей имеет разное значение в различных точках поверхности и постоянно меняется во времени. Наличие почти неизбежных структурных дефектов еще более усугубляет влияние колебаний внешних условий. [21]
 |
Схема формирования ячейки. [22] |
Механизм роста сформировавшейся ячейки более ясен. Как и при росте перлитной колонии в аустените, при кооперативном росте двухфазной ячейки прерывистого распада компоненты диффузионно перераспределяются вдоль межфазной границы матрицы с ячейкой. При непрерывном же распаде рост выделения контролируется о бъемной диффузией перпендикулярно поверхности выделения. Скорость диффузии вдоль межфазной границы матрицы с ячейкой намного больше, чем объемной, а пути диффузии очень короткие, так как межпластиночное расстояние в ячейке небольшое. Поэтому прерывистый распад способен быстро протекать при относительно низких температурах, в том числе и при таких, когда рост изолированных выделений р-фазы по механизму непрерывного распада идет с очень малой скоростью или практически полностью подавлен. Межпластиночное расстояние внутри ячеек уменьшается с понижением температуры старения. [23]
 |
Теоретическая зависимость между размерами элементарной ячейки и габитусом кристаллов. [24] |
Механизм роста нитевидных кристаллов изучен недостаточно. Структура кристалла является главнейшим фактором, определяющим его морфологию. В структурах кристаллов наиболее прочные направления химической связи могут быть выявлены геометрически, так как им соответствуют кратчайшие расстояния между атомами. [25]
 |
Теоретическая зависимость между размерами элементарной ячейки и габитусом кристаллов. [26] |
Механизм роста нитевидных кристаллов изучен недостаточно. Структура кристалла является главнейшим фактором, определяющим его морфологию. В структурах кристаллов наиболее прочные направления химической связи могут быть выявлены геометрически, так как им соответствуют кратчайшие расстояния между атомами. [27]
Механизм роста потенциальной точности оценки т с расширением спектра сигнала был проанализирован в § 5.1: с ростом F3 огибающая сигнала после СФ обостряется и ее пик флуктуирует по времени под воздействием шума того же уровня в меньших пределах. [28]
Третий механизм роста может иметь место в системах, где выполняется соотношение (4.5), но имеется рассогласование по периодам решетки и возникает энергия упругой деформации, зависящая от толщины пленки. Таким образом, в начале процесса реализуется слоевое зарождение пленки, но для компенсации возрастающей упругой энергии в дальнейшем островко-вый рост оказывается более предпочтительным. В островках происходит релаксация упругих напряжений и снижение уровня упругой энергии. [29]
Рассмотрим механизм роста монокристаллических стержней в процессе водородного восстановления хлорсиланов. Так же, как в рассмотренном ранее случае роста поликристаллического стержня в виде толстых пластин, оптимальные условия роста монокристаллических стержней будут определяться соотношением К 1, поскольку при этом осуществляется рост с огранкой, приближающейся к плоской. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5