Механизм - рост - кристалл
Cтраница 1
 |
Зависимость скорости роста кристалла и и числа центров кристаллизации п от. переохлаждения Д / ( кривые Таммана. [1] |
Механизм роста кристалла во многом определяется микрорельефом поверхностей, которые можно подразделить на атомно-гладкие и ступенчатые. [2]
Механизм роста кристаллов существенно зависит от атомарной структуры растущей грани. Для атомарно шероховатых граней характерен нормальный рост. [4]
Механизм роста кристаллов, по мнению Нортона [7], заключается в том, что под влиянием высокой температуры атомы и группы атомов кристаллов ВеО отрываются с их поверхности, притягиваются к близлежащей поверхности и занимают положение, при котором система обладает минимальной величиной поверхностной энергии. Ввиду того что большие кристаллы обладают меньшим запасом свободной энергии, чем малые, рост кристаллов происходит за счет малых зерен, и притом чрезвычайно быстро. [5]
Механизм роста кристалла вдоль линии винтовой дислокации легко понять на основании рис. 1.8. Очевидно, что осаждаемым атомам легче всего занять места на поверхности кристалла рядом с заштрихованной плоскостью, в результате эта плоскость сместится влево. [6]
Механизм роста кристалла связан с характером расположения частиц в его решетке и с их природой, поскольку свойства кристаллов зависят не только от пространственного их расположения, но и от характера межатомных взаимодействий. Теория роста кристаллов основана на изучении сил связи, действующих между частицами. [7]
 |
Зависимость скорости роста кристалла v и числа центров кристаллизации п от переохлаждения А ( кривые Таммана. [8] |
Механизм роста кристалла во многом определяется микрорельефом поверхностей, которые можно подразделить на атомно-гладкие и ступенчатые. [9]
Механизм роста кристаллов парафиновых углеводородов хорошо обосновывается диффузионной теорией, предложенной Андреевым [ I ], согласно которой рост кристаллов происходит в две последовательные стадии: транспортировка вещества из основной массы раствора к поверхности кристалла и фазовое превращение. Скорость процесса определяется первой стадией, то есть диффузией. [10]
Механизмом роста кристаллов из газовой среды принято считать [3] конденсацию вещества на вершине растущего кристалла. [11]
Опишите механизм роста кристаллов в слабо - и сильнопересыщенных растворах и расплавах. Какую роль играют дислокации в процессе роста кристаллов. [12]
Изучен механизм роста кристаллов ZuTo. Показано, что процесс кристаллизации в направлении преимущественного роста111: определяется кристаллохимическим соотношением между переходными слоями на границе фаз. [13]
Рассмотренный выше механизм роста кристалла оказывает также влияние и на конечный трахткристалла ( см. разд. Принцип минимума свободной поверхностной энергии ( разд. [14]
Рассматриваемые два механизма роста кристаллов являются фактически предельными случаями одного общего механизма, отражающего закономерности роста. Если в процессе слоевого роста размер последовательно заполняемых слоев уменьшается, то возникает ситуация, при которой происходит некогерентная стыковая отдельных слоев малого размера, что вызывает образование несовершенств роста, а рост происходит в основном по нормали к поверхности роста, т.е. по нормальному закону. Практически всегда при росте реального кристалла присутствует и слоевой, и нормальный рост. Очевидно, что присутствие примесных, инородных частиц на поверхности роста практически целиком исключает слоевой рост. Если вхождение инородных частиц сопровождается образованием новой фазы, то на процесс роста сильное влияние оказывает массоперенос. [15]
Страницы: 1 2 3 4