Механизм - рост - кристалл
Cтраница 4
Фотографии, полученные с помощью электронного микроскопа, подтвердили реальность спирального механизма роста кристаллов. Если имеется много близко расположенных дислокаций, то ступеньки роста кристаллов имеют высоту во много атомных слоев и их можно видеть даже в обычный микроскоп. [46]
В § 5.7 и 5.8 были рассмотрены общие представления о механизме роста кристаллов чистых веществ на зародышах или на затравках, образованных тем же чистым веществом. [47]
 |
Значении констант п и Лк в уравнении. [48] |
Как следует из таб г. 4.4, параметр н неоднозначно характеризует механизм роста кристаллов. Так, при пк - 3 могут образовываться или сферы ( чаще всего сферолиты) при гетерогенном зародышеобразованни, или диски при гомогенном механизме образования зародыша. Поэтому дчя получения однозначных результатов необходимо оценивать морфологию кристаллов другими методами, например микроскопическими. [49]
 |
Вращающиеся дендритно-сферолитныс образования, возникающие в нефти при кристаллизации парафина ( микрокинокадры. увеличение. [50] |
Как указывает в своих работах Тиллер [92] и другие, именно такой механизм роста кристаллов металла из загрязненных расплавов обеспечивает возникновение столбчатых структур чистого металла разделенных жидкой фазой с большим содержанием примесей. [51]
Реальные металлы обладают большим числом дефектов кристаллической решетки, что приводит к усложнению механизма роста кристалла. При электроосаждении металлов, как и при их росте из паровой фазы, большое значение имеют линейные дефекты. Например, если в кристалле имеются винтовые дислокации, то рост кристалла может идти даже без образования двумерных зародышей. [52]
Существование различных положений молекул на поверхности с разными энергиями связи приводит к определенным выводам относительно механизма роста кристаллов. [53]
Наблюдаемые в металлических покрытиях выросты в настоящее время удается связать с влиянием примесного компонента, изменяющего механизм роста кристаллов на локальных участках. [54]
На основании исследования морфологии нитевидных кристаллов кремния, выращенных из газовой фазы, сделан вывод о слоисто-спиральном механизме роста кристаллов. Установлено влияние примесей на огранку и габитус нитевидных кристаллов кремния. [55]
Вторая стадия кристаллизации, отвечающая быстрому изменению содержания вещества в растворе, интересна с точки зрения установления механизма роста кристаллов. Марком, Фишером и другими исследователями [1, 16, 25] показано, что формально скорость кристаллизации может быть описана обычными кинетическими уравнениями для реакции первого или второго порядка. Роль реагирующих веществ играет в данном случае пересыщение, взятое в той или иной степени. Представляет значительный интерес проведение исследований по установлению связи между степенью пересыщения, в которой оно входит в кинетическое уравнение, и химической природой кристаллизующегося вещества. В литературе описаны некоторые зависимости подобного типа [1, 16], однако они носят пока сугубо качественный характер. [56]
Во-вторых, нужно отметить в связи с вышеизложенным, что поверхности растущего кристалла, как это следует из описания механизма роста кристаллов, всегда гетерогенны. Ступени на поверхности кристалла должны обладать адсорбционными или каталитическими свойствами, отличными от свойств открытых поверхностей между ступенями. [57]
Отсюда можно найти размеры критического зародыша ( WHyJ2, где / / - периметр зародыша), построить гипотезу о механизме роста кристалла из расплава и зарождения двойников. [58]
В приведенном уравнении первый экспоненциальный множитель связан с подвижностью частиц и уменьшается с уве-лич § нием переохлаждения; второй - связан с механизмом роста кристаллов и увеличивается с переохлаждением. Следовательно, скорость роста кристаллов сложно зависит от переохлаждения. Данилов и Малкин получили экспериментальную кривую, совпадающую с теоретической. [59]
Страницы: 1 2 3 4