Механизм - франк
Cтраница 1
 |
Схематическое изображение кривой деформации. [1] |
Механизм Франка - Рида позволяет объяснить концентрацию скольжения в отдельных кристаллографических плоскостях и образование больших ступенек скольжения, связанных с одной кристаллографической плоскостью. [2]
Экспериментальные возражения против механизма Франка - Ван-дер - Мерве состоят в следующем: 1) ориентированный рост наблюдается не только при значениях А АКрит, но и при существенно большем различии параметров; 2) в большинстве случаев при росте образуются не сплошные слои осадка, а трехмерные зародыши; 3) псевдоморфизм в толстых слоях осадка экспериментально не обнаружен. [3]
А, как это показано в механизме Франка - Герцфельда, разбираемом ниже. [4]
Это пример так называемого послойного роста пленок по механизму Франка - Ван дер Мерве. Наконец, комбинированный механизм роста пленок по Странскому - Крастанову выявляется при использовании высокоразрешающего ПЭМ, как это видно на примере полупроводниковых гетерострук-тур на основе индий-галлиевого арсенида. Подробнее о квантовых точках и механизмах роста пленок см. подразд. [5]
Рассмотрим один из возможных механизмов образования новых дислокаций - механизм Франка Рида. [6]
 |
Вектор Бюргерса.| Винтовая дислокация. [7] |
Такой механизм рождения новых дислокаций под действием сдвигающего напряжения носит название механизма Франка - Рида. [8]
Наибольшее значение имеет механизм образования дислокаций, называемый по имени открывших его ученых механизмом Франка - Рида. Выше было показано, что при пластической деформации происходит движение дислокаций. Однако некоторые точки дислокации могут закрепляться и в результате теряют способность двигаться. Такое закрепление может происходить по различным причинам. [9]
Таким образом, нам предстоит выбирать между схемами типа а или в, например между теорией дисмутации энергии (9.10) в виде реакции (19.12), в которой HZ отождествлен с, хлорофиллом, и механизмом Франка и Херцфельда ( фиг. [10]
Отчасти он аналогичен механизму Франка - Рида. В данном случае также осуществляется выгибание закрепленного отрезка дислокации, но не скольжением, а переползанием. [11]
А, соединенным с СО2; &, по существу, является средним коэффициентом поглощения исследуемого образца. Множитель п в механизме Франка - Герцфельда равен 1; однако k I при стационарном состоянии не превышает ] / 8 общей скорости поглощения. [12]
Одним из важных свойств дислокаций является их способность при движении к размножению. Возможным механизмом этого процесса является механизм Франка - Рида. Когда к кристаллу прикладывается внешнее напряжение, линия дислокации, закрепленная в двух точках, начинает прогибаться и удлиняться с образованием петли, а ее концы вращаются вокруг точки закрепления. При превышении определенного значения напряжения образовавшаяся петля отрывается, образуя новую дислокацию, причем породившая ее старая дислокация остается. Этот процесс теоретически может повторяться бесконечно. [13]
Тот факт, что плотность дислокаций в результате пластической деформации существенно увеличивается, не удавалось удовлетворительно объяснить вплоть до 1950 г., когда Франк и Рид [ 271 предложили механизм, объясняющий непрерывное развитие дислокационных линий и петель и прохождение их через плоскость скольжения. На рис. 3.24 дана иллюстрация действия механизма Франка - Рида. Рассмотрим линию дислокации, зацепленную в точках В и С. [14]
При послойном стравливании можно наблюдать, как эта цилиндрическая область исчезает на поверхности раздела пленки и подложки. По мнению авторов [4], это свидетельствует о дислокационном происхождении пирамид роста, образующихся, по-видимому, по механизму Франка. [15]
Страницы: 1 2