Механизм - франк
Cтраница 2
В жидкой воде принимается в основном тот же механизм рассеяния энергии, как и в парах. Главными причинами различия в действии излучения в жидкости и парах являются: а) повышенная плотность ионизации, б) повышенная энергия и вероятность гидратации ионов, б) повышенная вероятность дезактивации возбужденных частиц, г) непосредственная рекомбинация ( по механизму Франка и Рабиновича) части пар радикалов H - f - ОН, образовавшихся при диссоциации одной и той же молекулы воды. Из обсуждения данных по кинетике радиолиза чистой воды и косвенному действию на растворенные вещества с этой точки зрения делается вывод, что при высоких концентрациях растворенного вещества ионный выход должен быть независимым как от концентрации, так и от дифференциальной дозы. При низких концентрациях, в условиях, когда только часть образующихся радикалов реагирует с растворенным веществом, Н2 и Н202 должны появляться среди первичных продуктов реакции и ионный выход должен зависеть как от концентрации, так и от дифференциальной дозы. Независимость ионного выхода от концентрации растворенного вещества должна сохраняться до тем меньших концентраций, чем ниже плотность ионизации, а, следовательно, чем легче ионизирующая частица. [16]
Экспериментальные данные, полученные при помощи электронной микроскопии, показывают, что в сплавах кобальта и, вероятно, в чистом кобальте направление смещений атомов оказывается одним и тем же в нескольких сотнях или тысячах атомных плоскостей, так что возникает макроскопический сдвиг. Это является серьезным свидетельством в пользу механизма роста, согласно которому дислокация превращения движется по спиральной поверхности, образующейся при пересечении дислокации решетки с поверхностью раздела. Этот механизм, предложенный впервые Коттреллом и Билби [23] для механического двойникования, совершенно аналогичен механизму Франка для роста кристаллов, и данные, полученные на кобальте, по-видимому, являются лучшим экспериментальным свидетельством в пользу теории Франка. Возможно, что в поликристаллическом кобальте дислокации превращения зарождаются на границах зерен или в других благоприятных местах. Гексагональный кобальт, получающийся в результате мартенситного превращения, часто имеет очень высокую плотность дефектов упаковки, как и следовало ожидать при действии только что описанного механизма роста. [17]
 |
Микроструктура сплава В-92 после испарения при 550 С в течение 80 ч ( предварительно электрополировко снят слой 25 мкм, Х420. [18] |
На поверхностное порообразование большое влияние, по-видимому, оказывают дефекты структуры. В механизме сублимации существенную роль играют процессы поверхностной диффузии и дефекты поверхности. Оценка, сделанная в работе [144], показала, что вероятность непосредственного перехода молекул в пар из так называемого полукристаллического положения ( в этом положении энергия связи молекулы равна средней энергии решетки) невелика, вероятность перехода со ступеньки в 20 раз больше, а с грани - больше на 4 порядка. Как известно, ступеньки могут возникнуть в результате выхода на поверхность винтовых дислокаций и процесс испарения можно рассматривать как аналогию спиральному росту кристалла по механизму Франка. [19]
Под действием сдвигающих напряжений дислокация перемещается вдоль плоскости скольжения. Для перемещения дислокации требуется меньшее касательное напряжение, так как атомы находятся в состоянии неустойчивого равновесия в решетке. Винтовая дислокация заключается в том, что часть кристаллической решетки на некотором протяжении оказывается сдвинутой на один параметр решетки относительно другой. Дислокации зарождаются при кристаллизации металлов и их сплавов, а также образуются в процессе пластической деформации. В процессе пластической деформации дислокации могут образоваться по механизму Франка - Рида. Сущность механизма образования дислокаций Франка - Рида заключается в следующем. Линейная дислокация, зародившаяся при кристаллизации, под действием касательных напряжений выгибается и принимает форму полуокружности. Этому моменту соответствует наибольшее значение касательных напряжений. При дальнейшем выгибании дислокация принимает форму замкнутой кривой ( окружности), внутри которой остается исходная дислокационная линия. Наружная дислокация разрастается до внешней поверхности кристалла, а внутренняя вновь выгибается, порождая новую дислокацию. Препятствием движению дислокаций являются границы блоков и кристаллов. При пластической деформации кристаллы дробятся, увеличивается число блоков и протяженность их границ. Скопление дислокаций затрудняет зарождение новых дислокаций, так как для их генерирования теперь потребуются большие касательные напряжения. [20]
Страницы: 1 2