Механизм - действие - примесь
Cтраница 2
 |
Формы сростков кристаллов циркона. Ув. 5. [16] |
Примеси, введенные в расплав, также активно влияют на габитус кристаллов циркона. Например, добавка 1 % меди в виде СиО способствует кристаллизации циркона в виде идеально ограненных короткопризматических кристаллов. Механизм действия примеси может быть объяснен наличием на растущих гранях адсорбционного слоя, который нивелирует анизотропию скоростей роста разных габитусных граней, что приводит к наблюдаемой огранке кристаллов. [17]
Из приведенных примеров видно, что изменение формы и размеров кристаллов при кристаллизации сульфата кальция из фосфорнокислых растворов может быть связано с различными условиями. Механизм действия примесей на форму кристаллов может быть также связан с образованием твердых растворов различного типа. [18]
 |
Формы сростков кристаллов циркона. Ув. 5. [19] |
Примеси, введенные в расплав, также активно влияют на габитус кристаллов циркона. Например, добавка 1 % меди в виде СиО способствует кристаллизации циркона в виде идеально ограненных короткопризматических кристаллов. Механизм действия примеси может быть объяснен наличием на растущих гранях адсорбционного слоя, который нивелирует анизотропию скоростей роста разных габитусных граней, что приводит к наблюдаемой огранке кристаллов. [20]
 |
График зависимости плотности энергетических уровней ковалентных. [21] |
Электропроводность ковалентных кристаллов изменяется в широких пределах. Одни кристаллы, например алмаз, являются изоляторами, другие, например германий, - полупроводниками. Электропроводность ковалентных кристаллов в высшей степени зависит от примесей. Механизм действия примесей состоит в следующем. Если в атомах, добавляемых в качестве примесей, число ( s р) - электронов меньше четырех ( например, при введении галлия в германий), то появляются дополнительные уровни в запрещенной зоне вблизи верхнего края валентной зоны. Если в добавляемых атомах число ( s р) - электронов больше четырех ( например, при введении мышьяка в германий), то дополнительные уровни появляются вблизи дна зоны проводимости. [22]
Как видим, при некоторой пороговой концентрации сульфата натрия стабильность растворов щавелевокислого натрия резко снижается. Величина пороговой концентрации зависит от пересыщения. Чем оно выше, тем меньшее количество примеси требуется для существенного изменения устойчивости раствора. В известной мере механизм действия примеси связан в данном случае с изменением растворимости щавелевокислого натрия. Однако он не может быть сведен только к этому, поскольку, судя по приведенным в работе [56] данным, пересыщение раствора оставалось в рассматриваемой серии опытов постоянным. Наблюдаемое явление может быть связано с изменением ионной силы раствора. Так же могут быть интерпретированы и данные табл. 20 о влиянии на устойчивость растворов пикрата натрия ряда солей. [23]
Кроме влияния на концентрацию дефектов в кристаллической решетке, примеси могут изменять температуру разложения селитры в ту или иную сторону. Надо сказать, что в целом механизм влияния определяется не только химическими свойствами добавки, но и степенью соответствия параметров кристаллических решеток добавок и азотнокислого аммония. Соотношение этих параметров, наряду с другими факторами, определяет возможность образования твердых растворов, а следовательно, и степень влияния. Разумеется, сказанное справедливо в тех случаях, когда в основе механизма действия примеси на кинетику разложения лежит растворение одного вещества в другом в твердом состоянии. [24]
Существенное влияние на скорость роста отдельных граней кристаллов, следовательно, на совершенство их формы, а также на размеры оказывают даже мельчайшие посторонние примеси в растворе. При этом некеторые примеси полностью приостанавливают рост кристаллов, а другие, наоборот, ускоряют его и способствуют получению крупнокристаллического продукта. Так, например, примеси органических поверхностно-активных веществ в растворе NaCl приводят к кристаллизации последнего не в виде кубов, а в виде октаэдров и кубооктаэдров. Механизм действия примесей и направление их влияния на скорость роста и форму кристаллов пока не установлены. [25]
Таким образом, в халькогенидных и оксидных полупроводниковых стеклах не наблюдается примесной проводимости, и, следовательно, их электрические характеристики не зависят от примесей. В этом заключается отличие стеклообразных полупроводников от кристаллических. В последних в качестве примесей функционируют и чужеродные атомы, и отклонения от стехиометрии, и различного рода дефекты решетки. Эти примеси создают дополнительные уровни с более низкой энергией активации в запретной зоне, в результате чего резко увеличивается электропроводность и изменяются другие свойства. К стеклообразным полупроводникам неприменим механизм действия примесей, основанный на зонной теории. Стекла по природе своей лишены дальнего порядка, лежащего в основе зонной модели твердого состояния. [26]
Страницы: 1 2