Механизм - детектирование - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
В развитом обществе "слуга народа" семантически равен "властелину народа". Законы Мерфи (еще...)

Механизм - детектирование

Cтраница 3


31 Термоионный детектор ( а и его электрическая блок-схема ( б. [31]

В отсутствие таких соединений в ионизационной камере детектора устанавливается равновесие атомов щелочного металла. Присутствие атомов фосфора вследствие их реакции с атомами щелочного металла нарушает это равновесие и вызывает появление ионного тока в камере. Механизм детектирования пока остается неясным.  [32]

33 Схема детектора измерителя помех. [33]

На рис. 17 приведена схема детектора измерителя помех с последним каскадом усилителя промежуточной частоты. Эта схема принципиально не отличается от схемы детектора обычного приемника. Однако номиналы элементов схемы существенно отличаются от элементов схемы безынерционного детектора, в результате чего механизм детектирования становится иным. Назначение элементов схемы следующее.  [34]

Широкое применение находят смесители на диодах типа металл - окисел - полупроводник ( МОП), которые представляют собой выпрямляющий барьер Шотки, постоянная времени которого определяется дрейфовой скоростью электронов в области барьера и составляет 10 - п с, что определяет границу спектрального диапазона. Из-за высокого сопротивления растекания rt в полупроводниковой подложке граничная частота / Гр ( 2ягс) - оказывается примерно на три порядка меньше предельной частоты / Прт-1. Вольт-ваттная чувствительность Y в ММ диапазоне порядка 102 В / Вт, а эквивалентная мощность шума около К) - 19 Вт / Гц; на Хг0 4 мм минимальная обнаруживаемая мощность К) - 12 - 10 - 13 Вт / Гц. Значение frp ограничивает применение МОП-смесителя с подложкой из кремния для измерения частоты HCN-лазера с Я337 мкм. Сопротивление растекания г может быть уменьшено при использовании полупроводника с большей подвижностью носителей, например InAs. Эксперименты показали, что величина frp увеличивается примерно до 1014 Гц. Это связано с изменением механизма детектирования: в процессе включается туннельный механизм с постоянной времени т 10 - 15 с. Вольт-ваттная чувствительность Y диода в СБМ диапазоне составляет 10 В / Вт и уменьшается с ростом частоты. Резкое падение Y наблюдается при переходе от волноводной конструкции смесителя к открытой н обусловлено, по-видимому, несовершенством согласования смесителя с электромагнитной волной.  [35]



Страницы:      1    2    3