Cтраница 1
Вакансионный механизм требует наличия источников и стоков вакансий. [1]
Вакансионный механизм часто реализует диффузию примеси замещения в кристалле. Примесь диффундирует по кристаллу в результате обменов местами с различными вакансиями, которые время от времени оказываются вблизи нее. Этот механизм должен быть особенно существенным и лимитирующим процесс диффузии примеси в том случае, когда атом примеси значительно больше атома кристалла-матрицы и становится совершенно маловероятным прямой обмен местами примеси и регулярного атома. [3]
Вакансионный механизм - при котором примесь, входящая в решетку по схеме замещения ( или атом решетки при самодиффузии), становится на место ближайшей вакансии в решетке. При этом скорость диффузии зависит от концентрации вакансий, являющейся, в свою очередь, функцией парциального давления компонентов ( или отклонений от стехиометрии кристаллов) и содержания примеси. [4]
Вакансионный механизм - перемещение атомов из узлов решетки в расположенные рядом вакансии. Скорость диффузии по этому механизму зависит от легкости перемещения атомов из узла в вакансию и от концентрации последних. Предполагают, что перемещение атомов по этому механизму является наиболее вероятным. [5]
Вакансионный механизм образования пор должен действовать при высоких температурах, поскольку в этих условиях легко возникает избыточная концентрация вакансий и возможно образование поры в результате взаимной диффузии компонентов, протекающей с различной парциальной скоростью. Этот процесс наблюдается во многих случаях, в частности при удалении из сплава летучего компонента. Ниже рассматривается вызванный сублимацией процесс порообразования в различных сплавах. [6]
![]() |
Влияние температуры на разрушающее напряжение 0 р закаленной стали, на время до разрушения р ( а и на наименьшую ( критическую величину напряжения ( Tp ( mln ( б. [7] |
Вакансионный механизм зарождения микрополостей позволяет объяснить и существующие представления о влиянии водорода на хрупкость металлов, которые основаны на адсорбционном эффекте, снижающем критические размеры микротрещин. [8]
Вакансионный механизм миграции к-частиц предполагает достаточно высокую концентрацию вакансий в к-подрешетке по сравнению с концентрацией к-частиц в междуузлиях. [9]
![]() |
Вакансионный и дивакансионный механизм диффузии в ГЦК решетке. Показана диссоциация дивакансии.| Двух - и четырехатомный кольцевой механизм в ГЦК решетке. [10] |
Подробное обсуждение вакансионного механизма приведено в гл. Сди-вакансиями дело обстоит сложнее, и они обсуждаются в гл. [11]
Принимая во внимание вакансионный механизм выхода дислокаций на поверхность кристалла, полученные результаты авторы [85] объясняют следующим образом. [12]
![]() |
Зависимость термоэдс сплава Fe-Со - V от времени отпуска при температуре 850 С для образцов с различной степенью пластической деформации. [13] |
Для выяснения роли вакансионного механизма в изменениях термоэдс был проведен отпуск двух холоднодеформированных образцов в течение 1 час при температуре 500 С, причем один образец после этого был закален Б воду, а другой охлажден с печью. Последний показал значение термоэдс, значительно уменьшенное по сравнению с закаленным, что могло быть связано только с уменьшением числа вакансий. Однако вакансии могут менять только высоту максимума. [14]
![]() |
Схемы механизма диффузии. [15] |