Вакансионный механизм

Cтраница 2

При диффузии по вакансионному механизму образовавшиеся при диссоциации атомы диффундирующего элемента адсорбируются поверхностью насыщаемого металла, занимая места вакансий. Диффузия адсорбированных атомов совершается в результате обмена мест атомов с вакансиями. С повышением температуры увеличиваются тепловые колебания атомов и растет число вакансий в решетке, что ускоряет процесс диффузии. [16]

Таким образом, при вакансионном механизме / СА / В зависит от стандартных химических потенциалов соединений AR и BR и, следовательно, от энергии связи противоионов с R - - ионо-генными группами ионита. [17]

Однако он полагает, что вакансионный механизм зарождения трещин наиболее вероятен в условиях действия малых амплитуд напряжений, приводящих к тонкому скольжению. При больших амплитудах напряжений, когда наблюдается грубое скольжение, разрушение подобно статическому. [18]

В данном случае вполне обоснован вакансионный механизм переноса заряда, представленный уравнениями ( I. Иными словами, может наблюдаться перескок противоионов от одной мицеллы к другой, приводящий к возникновению своеобразной электрической эстафетной цепи. [19]

Если миграция атомов происходит по вакансионному механизму, то скачок рассматриваемого атома возможен только в том случае, когда в соседнем узле имеется вакансия. [20]

Распределение дислокаций в образце на расстоянии 35 мм от затравки. Отр. 220, ил. ( [ 11. Ун. Х8. [21]

Конечно, не исключено влияние и вакансионного механизма возникновения дислокаций, так как кристаллы GaP обычно растут с нарушением стехиометрии. Однако существование этого механизма не приводит к заметному увеличению плотности дислокаций, по крайней мере в верхней части слитка. [22]

Рассмотрена самодиффузия в сплавах, осуществляемая вакансионным механизмом, зависимость коэффициента самодиффузии от состава, степени порядка и температуры и перенос тепла в металлах с помощью вакансий, возможный вклад вакансионной теплопроводности в общую теплопроводность при высоких температурах. [23]

Кривая напряжения - деформации для кристалла алюминия, охлажденного с печью ( 1 и закаленного с температуры 600 С, в 1соляной ванне при 0 С ( 2. Ориентация кристалла показана на стереографической проекции. [24]

Для того чтобы получить более убедительные доказательства вакансионного механизма, они испытали один кристалл по истечении нескольких минут после закалки, а другой - после старения в течение нескольких дней. Для кристалла, растянутого непосредственно после закалки, предел текучести составлял 695 Г / мм2, а для кристалла, прошедшего старение, 840 Г / мм2, Таким образом, после закалки происходит упрочнение в результате старения, что находится в согласии с возможным вакансионным механизмом. [25]

Следует отметить, что прямого экспериментального подтверждения вакансионного механизма переноса в жидких мембранах пока нет, однако целый ряд косвенных фактов свидетельствует в его пользу. Во-первых, серьезные трудности испытывает теория электропроводности растворов с низкой диэлектрической проницаемостью, в которой в качестве возможных переносчиков тока принимают свободные ионы. Во-вторых, особенности строения подобных систем, их мицеллярный характер требуют представлений о качественно новых способах переноса заряда. [26]

Примеси, образующие растворы замещения, диффундируют по вакансионному механизму. При высоких температурах, при которых проводится диффузия примесей, большая часть вакансий находится в ионизированном состоянии. Концентрации ионизированных вакансий, как показано в гл. [27]

Ионы меди могут перемещаться в решетке как по вакансионному механизму, так и по междоузлиям. [28]

Таким образом, имеется достаточно оснований полагать, что вакансионный механизм образования и роста пор является одним из основных при высокотемпературном разрушении металлических сплавов. Это объясняется гетерогенным характером образования пустот в процессе диффузии. Сложное влияние оказывают границы зерен, поскольку они могут служить как источником вакансий, так и местом их стока. Кроме того, на границах зерен обычно адсорбируются чужеродные атомы, влияющие на концентрацию вакансий и релаксацию их. Как отмечали Крюссар и Фридель, потенциальный барьер, возникающий из-за отталкивания между вакансиями, находящимися на близком расстоянии ( равном 2 - 3 межатомных), на границах зерен оказывается меньше или отсутствует вовсе из-за наличия разориентировки. Усиление роли границ зерен в порообразовании под влиянием напряжений связано, по-видимому, с тем, что при высоких температурах пластическая деформация локализуется по границам зерен, где и возникает избыточная концентрация вакансий. [29]

При этом теоретическая энергия активации самодиффузии в Ge для вакансионного механизма также равна - 3 0 эВ ( 3 02 эВ по данным Сволина [536] и 2 89 эВ по Беннеману [537], см. табл. 12), что находится в хорошем соответствии с экспериментальным значением. [30]

Страницы: 1 2 3 4