Cтраница 2
Процесс графитизации чугуна совершается путем дислокационного механизма и сводится к образованию центров графитизации и роста вокруг них графитных включений. Дислокации и точечные дефекты решетки играют при этом большую роль. [16]
![]() |
Схема полигонизации. [17] |
Для объяснения процесса полигонизации предложен следующий дислокационный механизм. [18]
![]() |
Схема кристалла после деформации растяжением.| Схемы переориентации решетки в кристаллах с помощью скольжения.| Различные участки золотой микропроволоки при сбросообразовании. [19] |
К первой группе И. А. Одинг относит дислокационный механизм скольжения, проявляющийся в перемещении одной части кристалла или зерна по отношению к другой. [20]
![]() |
Схема полигонизацни. [21] |
Для объяснения процесса полигонизации предложен следующий дислокационный механизм. [22]
Для объяснения процесса полигонизации предложен следующий дислокационный механизм. [23]
![]() |
Дислокационный механизм деформационного упрочнения частицами второй фазы по Оровану См. текст. [24] |
На рис. 3.22 дана схема дислокационного механизма деформационного упрочнения частицами второй фазы по Оровану. Специфика циклического деформирования связана с относительно малыми внешними напряжениями, которые повторяют большое число циклов. [25]
В то же время существует много других дислокационных механизмов, которые могут быть ответственны за внутренние напряжения. [26]
Наряду с рассмотренным предложено достаточно много других дислокационных механизмов образования микротрещины, причем некоторые из них имеют прямое ttttlttttttfd экспериментальное подтверждение. [27]
Однако для макродеформации монокристалла по дислокационному механизму необходимо значительное число дислокаций. [28]
![]() |
Рельефы пинакоида. [29] |
Установлено, что для поверхности пинакоида дислокационный механизм не дает существенного выигрыша в скорости отложения вещества по сравнению с нормальным, хотя некоторое увеличение скорости ( о Ш-15 %), несомненно, имеет место. [30]