Дислокационный механизм
Cтраница 3
 |
Рельефы пиггакоида. [31] |
Установлено, что для поверхности пинакоида дислокационный механизм не дает существенного выигрыша в скорости отложения вещества по сравнению с нормальным, хотя некоторое увеличение скорости ( 10 - 15 %), несомненно, имеет место. [32]
Все авторы деформационное упрочнение связывают с дислокационным механизмом пластической деформации, однако пока не ясно, какие виды взаимодействия дислокаций друг с другом или с другими дефектами и в какой мере определяют упрочнение материалов. [33]
Выдвинутые объяснения роста усов основываются на дислокационном механизме. [34]
 |
Рентгеновские топограммы jc - среза базисного кристалла, приготовленного таким образом, что точечные вершины ряда акцессории выходят в торец пластины ( указаны стрелками. [35] |
Необходимо подчеркнуть, что в описанных условиях дислокационный механизм не дает существенного выигрыша в скорости роста при одних и тех же пересыщениях. Из сказанного также следует, что отсутствие конусообразных акцессории роста с активной вершиной является необходимым ( но не достаточным) морфологическим критерием бездислокационного строения пирамиды роста базиса. [36]
 |
Рентгеновские топограммы х-среза базисного кристалла, приготовленного таким образом, что точечные вершины ряда акцессорий выходят в торец пластины ( указаны стрелками. [37] |
Необходимо подчеркнуть, что в описанных условиях дислокационный механизм не дает существенного выигрыша в скорости роста при одних и тех же пересыщениях. Из сказанного также следует, что отсутствие конусообразных акцессорий роста с активной вершиной является необходимым ( но не достаточным) морфологическим критерием бездислокационного строения пирамиды роста базиса. [38]
Так как теория роста несовершенных кристаллов подразумевает дислокационный механизм, полезно кратко ознакомиться с природой дислокаций в кристаллической решетке. Дислокации относятся к линейным нарушениям в кристаллах, решетка которых имеет дефекты ориентации. Дислокации важны при росте кристаллов потому, что они возникают на растущей поверхности кристаллов. [39]
При пластинчатом росте по схеме Сирса также рассматривается дислокационный механизм. Согласно этому механизму пластинки содержат двухмерные дислокации, так что торцовые поверхности вследствие уменьшения работы образования зародышей растут значительно быстрее, чем свободные от дислокаций боковые поверхности. Участие дислокаций в механизме роста не является бесспорным, так как наблюдались и такие особые формы кристаллов, у которых нельзя было обнаружить дислокаций. [40]
Источниками столь сложного политипизма в карбиде кремния являются своеобразный дислокационный механизм ( через винтовые дислокации) роста монокристаллов карбида кремния и некоторые определенные термодинамические предпосылки. Все серии политипов карбида кремния могут быть выведены из основных фаз этого соединения с помощью винтовых дислокаций. [41]
Дальнейшее изучение процесса резания металлов связано с разработкой дислокационного механизма разрушений. [42]
Структура металла играет существенную роль как при учете дислокационного механизма ползучести, так и при учете диффузионных процессов. При этом возможна ситуация, когда изменение структуры, выгодное с точки зрения дислокационного механизма, может оказаться не выгодным с точки зрения развития или торможения диффузионных процессов. [43]
 |
Лентообразные структуры аморфного нитрильного каучука.| Схематическое представление трех микрофибрилл, образующих фибриллу. [44] |
Рост кристалла происходит через образование спиральных террас по дислокационному механизму в соответствии с теорией роста кристаллов Франка. При этом простейший монослойный кристалл полиэтилена имеет форму полой пирамиды. [45]
Страницы: 1 2 3 4