Cтраница 1
Микроскопический механизм, приводящий к закону Ома, рассматривается во втором томе. [1]
Микроскопический механизм рассеяния состоит в изменении движения зарядов среды под действием поля проходящей волны и излучении ими рассеянных волн. Принято называть рассеяние стоксо-вым, если со со, и антистоксовым, если со со. Например, при рассеянии в газе на отдельных молекулах изменение частоты может происходить за счет перехода молекулы на другой уровень энергии или за счет изменения кинетической энергии ее движения как целого. При этом у среды отбирается большая по сравнению с предыдущим случаем энергия А ( ш о)), и в обычных условиях такие процессы маловероятны. [2]
Детали микроскопического механизма влияния концентрированных растворов солей на белки, пептиды, нуклеиновые кислоты и другие полярные растворенные вещества довольно неопределенны. Высаливание этих соединений и их составных частей, по-видимому, происходит по сложному механизму, являющемуся результатом наложения нескольких различных механизмов, как и в случае высаливания менее полярных соединений. Значения ks для полярных растворенных веществ меньше, чем для неполярных того же объема, так как полярные молекулы сильнее взаимодействуют с растворителем; при достаточно высокой полярности наблюдается всаливание. Теория, основанная на рассмотрении внутреннего давления, по-видимому, дает в настоящее время наиболее удовлетворительное объяснение высаливанию как полярных, так и неполярных веществ. [3]
В теории магнетизма рассматриваются различные микроскопические механизмы магнитострикции за счет изменения магнитного ди-поль-дипольного взаимодействия; спин-орбитального взаимодействия; взаимодействия анизотропного электронного облака атома переходного элемента с внутрикристаллическим полем; изменения обменных сил между атомами и между электронами. [4]
В силу этого термодинамика не рассматривает микроскопический механизм явлений. Ей чужды модельные представления о структуре вещества и характере движения микроскопических частиц, входящих в состав материального тела. [5]
Структура кинетических уравнений в максимально возможной степени отражает микроскопический механизм реакции. В случае отсутствия сведений о детальном механизме, допускаются элементы феноменологии. [6]
Из (1.14) и (1.15) вытекают важные физические следствия относительно микроскопического механизма зарождения и распространения трещины. [7]
Как уже отмечалось выше, с точки зрения микроскопического механизма фазового перехода целесообразно рассматривать отдельно группу сегнетоэлектрических кристаллов с фазовым переходом типа порядок - беспорядок. [8]
Эти феноменологические выражения отвечают соответственно рассмотренным в § 3 микроскопическим механизмам aHHSOTpqnnoro взаимодействия: одноионной анизотропии, различной для разных под-решеток, и антисимметричной части анизотропного обмена. [9]
Различия в явлениях ферромагнетизма и сегнетоэлектричества происходят из-за того, что микроскопические механизмы возникновения этих явлений существенно отличаются. [10]
![]() |
К понятию градиента температуры. [11] |
При математическом описании процесса теплопроводности материал тела представляют как сплошную среду, микроскопический механизм теплопроводности не рассматривают, а все характеристики процесса считают непрерывными функциями пространственных координат и времени. Геометрическое место точек тела, имеющих в данный момент времени одинаковую температуру Т, называют изотермической поверхностью. [12]
Из результатов настоящей работы следует, что эта картина является лишь приближенной схемой, не соответствующей действительному микроскопическому механизму процесса. [13]
Гринвуд и Джонсон [140] предложили механическую модель пластичности превращения, которая объясняет экспериментальные данные, но не дает никакого микроскопического механизма. [14]
Изотопический эффект имеет очень большое значение, поскольку является одним из немногих открытий, дающих прямой ключ к пониманию микроскопического механизма возникновения необычной сверхпроводящей фазы в металлах. На основании этого эффекта можно сделать вывод, что сверхпроводимость возникает в ре-зультате некоторого сильного взаимодействия между электронами и колебаниями решетки металлов ( см. гл. [15]