Микроскопический механизм - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Ценный совет: НИКОГДА не разворачивайте подарок сразу, а дождитесь ухода гостей. Если развернете его при гостях, то никому из присутствующих его уже не подаришь... Законы Мерфи (еще...)

Микроскопический механизм

Cтраница 2


Изотонический эффект имеет очень большое значение, поскольку лается одним из немногих открытии, дающих прямой ключ к ионти микроскопического механизма возникновения необычной сверхпроводящей фазы в металлах. Па основании этого эффекта можно сделать вывод, что сверхпроводимость возникает в результате некоторого сильного взаимодействия между электронами и колебаниями решетки металлов ( см. гл.  [16]

Образование связанного состояния частицы в рассмотренной постановке задачи при наличии сколь угодно слабого притяжения составляет содержание так называемого феномена Купера - явления, лежащего в основе микроскопического механизма сверхпроводимости.  [17]

Что касается меня, то я твердо верил в эту качественную картину, но все же и я в какой-то мере отдал дань общим заблуждениям, пытаясь найти микроскопический механизм возникновения волн. Если в оптически однородной среде при равномерном движении излучение не возникает, то микроскопический механизм, казалось, был необходим.  [18]

В ситуации, когда многие вопросы получения кристаллического нитрида углерода далеки от окончательного решения, особенно привлекательными становятся квантовохимические расчеты свойств различных форм этого соединения, позволяющие провести как сравнительные теоретические прогнозы их устойчивости и свойств, так и рассмотреть микроскопические механизмы их формирования.  [19]

В последнее время большое внимание уделяется обоснованию статистического приближения как с точки зрения общих принципов [3-8], так и в рамках числовых экспериментов - компьютерных расчетов динамики конкретных систем; однако это приближение следует пока рассматривать как некоторый предельный случай описания микроскопического механизма реакции. Поскольку в основе этого описания лежит небольшое число предположений, он заслуживает специального рассмотрения.  [20]

21 Схема распределения векторов s в 180-градусной доменной границе при 9j - 62 и модель бокового смещения границы в магнитном поле порядка коэрцитивного Нс. [21]

Рассмотрим микроскопический механизм вращения спинов внутри доменных границ двух рассмотренных здесь типов, приводящий к их смещению при наложении слабого внешнего поля Н - НС.  [22]

Происхождение рассеяния сводится к изменению движения входящих в состав среды зарядов под влиянием поля падающей волны; это изменение приводит к излучению новых - рассеянных - волн. Исследование микроскопического механизма рассеяния должно производиться на основе квантовой механики; оно, однако, не требуется для развития излагаемой ниже макроскопической теории.  [23]

Рамана - - Мандельштама), приводящее к возникновению в рассеянном свете новых линий, смещенных по частоте Относительно падающего излучения, н рэ-леевское рассеяние, происходящее без существенного изменения частоты. Изучением микроскопического механизма рассеяния занимается квантовая механика.  [24]

Происхождение рассеяния сводится к изменению движения входящих в состав среды зарядов под влиянием поля падающей волны; это изменение приводит к излучению новых - рассеянных - волн. Исследование микроскопического механизма рассеяния должно производиться на основе квантовой механики; оно, однако, не требуется для развития излагаемой ниже макроскопической теории.  [25]

Возможности макроскопической теории в применении к таким магнетикам, разумеется, более ограничены. Детальное обсуждение микроскопических механизмов различных взаимодействий в конкретных магнетиках выходит за рамки этой книги.  [26]

Решение этого вопроса требует детального изучения микроскопического механизма движения дислокаций и их торможения на различных дефектах, которое должно производиться с учетом фактическая данных о реальных кристаллах.  [27]

Решение этого вопроса требует детального изучения микроскопического механизма движения дислокаций и их торможения на различных дефектах, которое должно производиться с учетом фактических данных о реальных кристаллах.  [28]

Подобно работам по Ill-нитридам, развитие компьютерного материаловедения нитридов р-элементов IV группы следует двум направлениям. Исследования второй группы ориентированы на описание микроскопических механизмов модификации свойств нитридов при создании на их основе разнообразных гетероструктур, композиционных и керамических материалов, связанных с изменением химического и структурного состояний исходного соединения.  [29]

Смещенная поверхность NaCl в этом плане представляется однодоменной. Од-нодоменный характер ее обусловлен наличием лишь единственного микроскопического механизма смещения поверхности.  [30]



Страницы:      1    2    3    4