Cтраница 2
Изотонический эффект имеет очень большое значение, поскольку лается одним из немногих открытии, дающих прямой ключ к ионти микроскопического механизма возникновения необычной сверхпроводящей фазы в металлах. Па основании этого эффекта можно сделать вывод, что сверхпроводимость возникает в результате некоторого сильного взаимодействия между электронами и колебаниями решетки металлов ( см. гл. [16]
Образование связанного состояния частицы в рассмотренной постановке задачи при наличии сколь угодно слабого притяжения составляет содержание так называемого феномена Купера - явления, лежащего в основе микроскопического механизма сверхпроводимости. [17]
Что касается меня, то я твердо верил в эту качественную картину, но все же и я в какой-то мере отдал дань общим заблуждениям, пытаясь найти микроскопический механизм возникновения волн. Если в оптически однородной среде при равномерном движении излучение не возникает, то микроскопический механизм, казалось, был необходим. [18]
В ситуации, когда многие вопросы получения кристаллического нитрида углерода далеки от окончательного решения, особенно привлекательными становятся квантовохимические расчеты свойств различных форм этого соединения, позволяющие провести как сравнительные теоретические прогнозы их устойчивости и свойств, так и рассмотреть микроскопические механизмы их формирования. [19]
В последнее время большое внимание уделяется обоснованию статистического приближения как с точки зрения общих принципов [3-8], так и в рамках числовых экспериментов - компьютерных расчетов динамики конкретных систем; однако это приближение следует пока рассматривать как некоторый предельный случай описания микроскопического механизма реакции. Поскольку в основе этого описания лежит небольшое число предположений, он заслуживает специального рассмотрения. [20]
![]() |
Схема распределения векторов s в 180-градусной доменной границе при 9j - 62 и модель бокового смещения границы в магнитном поле порядка коэрцитивного Нс. [21] |
Рассмотрим микроскопический механизм вращения спинов внутри доменных границ двух рассмотренных здесь типов, приводящий к их смещению при наложении слабого внешнего поля Н - НС. [22]
Происхождение рассеяния сводится к изменению движения входящих в состав среды зарядов под влиянием поля падающей волны; это изменение приводит к излучению новых - рассеянных - волн. Исследование микроскопического механизма рассеяния должно производиться на основе квантовой механики; оно, однако, не требуется для развития излагаемой ниже макроскопической теории. [23]
Рамана - - Мандельштама), приводящее к возникновению в рассеянном свете новых линий, смещенных по частоте Относительно падающего излучения, н рэ-леевское рассеяние, происходящее без существенного изменения частоты. Изучением микроскопического механизма рассеяния занимается квантовая механика. [24]
Происхождение рассеяния сводится к изменению движения входящих в состав среды зарядов под влиянием поля падающей волны; это изменение приводит к излучению новых - рассеянных - волн. Исследование микроскопического механизма рассеяния должно производиться на основе квантовой механики; оно, однако, не требуется для развития излагаемой ниже макроскопической теории. [25]
Возможности макроскопической теории в применении к таким магнетикам, разумеется, более ограничены. Детальное обсуждение микроскопических механизмов различных взаимодействий в конкретных магнетиках выходит за рамки этой книги. [26]
Решение этого вопроса требует детального изучения микроскопического механизма движения дислокаций и их торможения на различных дефектах, которое должно производиться с учетом фактическая данных о реальных кристаллах. [27]
Решение этого вопроса требует детального изучения микроскопического механизма движения дислокаций и их торможения на различных дефектах, которое должно производиться с учетом фактических данных о реальных кристаллах. [28]
Подобно работам по Ill-нитридам, развитие компьютерного материаловедения нитридов р-элементов IV группы следует двум направлениям. Исследования второй группы ориентированы на описание микроскопических механизмов модификации свойств нитридов при создании на их основе разнообразных гетероструктур, композиционных и керамических материалов, связанных с изменением химического и структурного состояний исходного соединения. [29]
Смещенная поверхность NaCl в этом плане представляется однодоменной. Од-нодоменный характер ее обусловлен наличием лишь единственного микроскопического механизма смещения поверхности. [30]