Дрейфовый механизм
Cтраница 1
Дрейфовый механизм может иметь место не только в присутствии внешнего электрического поля, но также за счет упоминавшихся % ыше фотовольтаических эффектов. [1]
Дрейфовый механизм ускорения на ударном фронте может быть важным для ускорения частиц в областях магнитного пересоединения. Shimada и др. ( 1997) продемонстрировали, что дрейфовый механизм может ускорять частицы, захваченные между ударными фронтами медленной моды в конфигурации Петчека, однако этот процесс довольно сложен. Медленный ударный фронт сам по себе не является особенно благоприятным местом для ускорения частиц, так как магнитное поле падает поперек фронта. Это означает, что частицы вверх по течению от ударного фронта не отражаются более сильным магнитным полем в области ниже по течению, как это имело бы место в случае ударной волны быстрой моды. Отражение в действительности имеет место для частиц из области ниже по течению, однако, когда частицы сталкиваются с ударным фронтом, они теряют энергию, поскольку ударный фронт, действующий как магнитное зеркало, движется в сторону от частицы в системе покоя плазмы. Детальный анализ Webb и др. ( 1983) показал, что ускорение частиц может происходить, когда частицы просачиваются через ударный фронт без отражения на нем. Такое ускорение происходит только за счет дрейфа, связанного с кривизной силовых линий, который конкурирует с градиентным дрейфом, действующим в противоположном направлении. [2]
В случае дрейфового механизма голографической записи во внешнем постоянном поле Е0 стационарная голограмма при выполнении условия квазинейтральности оказывается несмещенного типа. В любом случае наблюдается компенсация или вытеснение поля Е0 из ярко освещенных полос интерференционной картины. [3]
 |
Экспериментальные зависимости коэффициента усиления Г ( Г ос Im. sf от пространственной частоты К, полученные в для ФРК ВТО при различных амплитудах знакопеременного поля. [4] |
Другой пример связан с дрейфовым механизмом записи голограмм в постоянном внешнем электрическом поле на этапе, когда создаются условия для протекания сквозного тока чер з кристалл. Электроды, которые наносятся на поверхность ФРКГ например кристалла BSO, являются блокирующими. При таких электродах уход, фотоэлектронов из кристалла не компенсируется за счет инжекции. [5]
Отсюда ясно, что при низких уровнях инжекции в базовых слоях тиристора преобладает дрейфовый механизм распространения включенного состояния. При высоких же уровнях инжекции в базовых слоях вклады обоих механизмов в процесс распространения включенного состояния являются соизмеримыми. [6]
 |
Схемы включения транзистора. а - с общей базой. б - с сбщим эмиттером. з - с общим коллектором. [7] |
Последний случай имеет особенно большое значение, так как собственное поле неоднородного полупроводника обусловливает дрейфовый механизм движения носителей независимо от уровня инжекции. Транзисторы без собственного поля базы называются диффузионными или бездрейфовыми, а с собственным полем - дрейфовыми. Оба названия отражают главный механизм перемещения носителей, хотя, как правило, диффузия и дрейф сочетаются. Более просты для анализа бездрейфовые транзисторы, которым ниже уделено главное внимание. Особенности дрейфовых транзисторов будут рассмотрены в отдельном параграфе. [8]
Поскольку Е0 и Eq могут быть значительно больше, чем ED, то и эффективность дрейфового механизма будет существенно выше. [9]
Попутно заметим, что для области эмиттера из ( 1 - 57) можно сделать обратный вывод считать, что там имеет место дрейфовый механизм переноса дырок. [10]
С формальной точки зрения движение электронов за счет фото-вольтаической ЭДС при т g 1 можно описывать как движение электронов в некотором эффективном внешнем поле, и поэтому дрейфовый механизм записи информации за счет фотовольтаических эффектов практически эквивалентен процессу во внешнем поле. [11]
 |
Формирование решеток заряда и электрического поля в случае диффузионного ( а и дрейфового ( б механизмов записи. [12] |
Другой предельный случай, когда Ldkx - 1, требует несколько более детального рассмотрения, и мы на нем сейчас не будем останавливаться, так как результаты аналогичны дрейфовому механизму ( см. раздел 1.2.3) при сходных условиях. [13]
Дрейфовый механизм ускорения на ударном фронте может быть важным для ускорения частиц в областях магнитного пересоединения. Shimada и др. ( 1997) продемонстрировали, что дрейфовый механизм может ускорять частицы, захваченные между ударными фронтами медленной моды в конфигурации Петчека, однако этот процесс довольно сложен. Медленный ударный фронт сам по себе не является особенно благоприятным местом для ускорения частиц, так как магнитное поле падает поперек фронта. Это означает, что частицы вверх по течению от ударного фронта не отражаются более сильным магнитным полем в области ниже по течению, как это имело бы место в случае ударной волны быстрой моды. Отражение в действительности имеет место для частиц из области ниже по течению, однако, когда частицы сталкиваются с ударным фронтом, они теряют энергию, поскольку ударный фронт, действующий как магнитное зеркало, движется в сторону от частицы в системе покоя плазмы. Детальный анализ Webb и др. ( 1983) показал, что ускорение частиц может происходить, когда частицы просачиваются через ударный фронт без отражения на нем. Такое ускорение происходит только за счет дрейфа, связанного с кривизной силовых линий, который конкурирует с градиентным дрейфом, действующим в противоположном направлении. [14]
Здесь следует напомнить, что суперпозиция решеток зарядов ( положительных и отрицательных), смещенных на заданную длину. Например, как следует из примеров, рассмотренных в разделе 1.2, при определенных условиях для диффузионного механизма Е - k и т) - k2, а для дрейфового механизма ц не зависит от частоты при коротких длинах дрейфа. [15]
Страницы: 1 2