Cтраница 2
Ех ( х) всегда сдвинута на я / 2 относительно интерференционной картины, а решетка Ez ( x) совпадает с ней по фазе. Зависимость решеток Ех ( х) и Ег ( х) от пространственной частоты также оказывается различной. В последующих главах эти и другие особенности дрейфового механизма будут рассматриваться подробно. [16]
D) или к кристаллу приложено достаточно большое внешнее поле ( Е0 ED), в правой части выражения (4.14) можно пренебречь мнимым слагаемым i. Из-за того что процесс записи при этом сводится практически просто к частичной компенсации соответствующего, исходно однородного по объему образца поля ( Е0 или эффективного поля EG) в максимумах записываемой интерференционной картины 7 ( х), стационарная решетка, формируемая за счет дрейфового механизма, оказывается несмещенного типа. [17]
Различают два механизма распространения включенного состояния по площади тиристора: диффузионный и дрейфовый. Как следует из самих названий, эти механизмы отличаются друг от друга способом переноса основных носителей в базовых слоях из включенной области в соседние невключенные участки тиристора. Если перенос осуществляется преимущественно за счет диффузии основных носителей заряда, то говорят, что преобладает диффузионный механизм распространения включенного состояния. Если же перенос основных носителей осуществляется преимущественно за счет дрейфа, то говорят, что преобладает дрейфовый механизм распространения включенного состояния. [18]
Из (3.45) видно, что TM зависит от величины средней интенсивности света, падающего на кристалл. Темп естественного стирания определяет время памяти кристалла - время хранения информации. При необходимости ускорить стирание кристалл можно равномерно осветить стирающим светом / ег, скорость стирания определяется тем же соотношением (3.45) с заменой / на / ег. Процесс стирания эквивалентен процессу разряда конденсатора. Заметим, что при ускоренном стирании целесообразно замыкать электроды, если используется дрейфовый механизм записи. [19]