S-диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Глупые женятся, а умные выходят замуж. Законы Мерфи (еще...)

S-диод

Cтраница 1


S-диоды могут быть использованы и как датчики температуры. При передаче информации о температуре на расстояние можно воспользоваться тем что частота генерации зависит от температуры.  [1]

2 Схема переключателя, включаемого светом, и вольт-амперная характеристика тиристора без освещения ( 1 и с освещением ( 2. [2]

Фоточувствительность S-диодов в области примесного поглощения усиливается значительно сильнее, чем в области собственного поглощения.  [3]

В S-диодах свет может изменять как концентрацию носителей в базовой области, так и параметры, определяющие их распределение: время жизни, биполярную подвижность носителей и др. Поскольку эти величины очень сильно влияют на ток, то на основе S-диодов возможно создание высокочувствительных приемников излучения в области как собственного, так и примесного поглощения.  [4]

Так как S-диоды являются пороговыми элементами, то и схемы па их основе являются пороговыми, что обеспечивает высокую помехозащищенность и высокий уровень сигналов на выходе.  [5]

6 Типичные зависимости напряжения включения от освещенности при 300 К для разных образцов. Верхняя шкала относится к верхней кривой, нижняя - к остальным. [6]

При освещении S-диодов сопротивление базы уменьшается вследствие внутреннего фотоэффекта.  [7]

Описаны свойства S-диодов на некоторых полупроводниках. Представлены функциональные возможности этих приборов как активных элементов. Особое внимание уделено свойствам связанных между собой объемной связью S-диодных структур.  [8]

9 Переключатель на S-диоде и его вольт-амперная характеристика. [9]

Таким образом, S-диод и однопереходный транзистор могут быть применены в качестве индуктивностей. С наибольшим эффектом они могут использоваться при создании микроэлектронных схем, где создание индуктивностей другими методами затруднено.  [10]

В настоящее время S-диоды исследованы уже на многих полупроводниках, в частности на Si, GaAs, InSb, GaP, SiC и ряде других. Вольт-амперные характеристики с ОС могут быть получены в определенной области температур практически на любом полупроводнике и даже в узкозонном [83] при соответствующем легировании.  [11]

12 Положение рабочих точек при различных напряжениях питания. [12]

Вследствие наличия у S-диодов двух состояний проводимости очевидна возможность использования их в качестве переключателей. Если последовательно с диодом включить нагрузочное сопротивление К, то напряжение на диоде будет равно UE-IR, где Е - напряжение источника питания.  [13]

14 Семейство вольт-амперных характеристик кремниевого магнитодио-ца с отрицательным сопротивлением в различных магнитных полях В. [14]

Наибольшие перспективы применения S-диодов открылись после появления возможности со - о 5Т здания управляемых по объемным связям S-диодных структур [3, 4, 14] и создания соответствующей схемотехники на их основе. Если инжектирующие контакты расположены близко один от другого на одной пластине полуизолятора, то они оказываются взаимосвязанными. Ижектиро-ванные из одного контакта носители движутся не только к неактивному контакту, но и распространяются на некоторое расстояние во все стороны. Заметное количество носителей доходит на расстояния порядка нескольких диффузионных или дрейфовых длин от р-п-перехода.  [15]



Страницы:      1    2    3    4