S-диод
Cтраница 2
Такие диоды называются S-диодами или диодами с длинной базой. [16]
Поскольку взаимосвязь между S-диодами определяется просто расстоянием, то нагрузочная способность может быть большой. [17]
Освещение как в S-диодах, так и в других приборах с отрицательным сопротивлением ( тиристорах, однопереходных транзисторах и др.) сильно снижает напряжение срыва, поэтому они могут быть использованы не только как аналоговые фотоприемники для измерения интенсивности света в видимой или инфракрасной области спектра, но и как фотореле. Они могут применяться в тех же схемах, что и обычные фотоприемники. [18]
Таким образом, фоточувствительность S-диодов благодаря внутренней положительной обратной связи оказывается существенно более высокой, чем у фотодиодов и фоторезисторов, изготовленных из того же материала. [19]
Наибольшее количество работ по S-диодам посвящено кремнию. Это объясняется в некоторой степени тем. ОС в диодах из кремния наблюдается и при комнатной температуре. Кроме золота [18, 51], для создания глубоких уровней использовались и другие примеси. В работах [53, 54] описываются диоды из кремния, легированного кадмием. Существенной особенностью таких диодов является слабое изменение UV1 KC с температурой, что представляет значительный практический интерес. В этом случае тепловое движение интенсивно забрасывает электроны из валентной зоны на эти уровни, стремясь сохранить их заряд, в связи с чем раскомпенсация затрудняется. [20]
 |
Энергетическая диаграмма германия - типа, компенсированного золотом.| Образование участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике диода за счет увеличе. [21] |
Следовательно, рассмотрение принципов действия S-диодов и сводится к анализу этих дополнительных механизмов изменения проводимости базы. [22]
Следовательно, в отличие от S-диода условие сверхлинейного роста проводимости базы с увеличением тока для однопереход-ного транзистора не требуется и для его изготовления может быть использован любой полупроводник с достаточно большим значением LPin, например германий или кремний, поскольку любые приборы из него работоспособны до более высоких температур. [24]
Арсепид галлия в отношении использования для создания S-диодов во многом подобен кремнию. В [58] описаны диоды из арсенида галлия, легированного никелем. Диоды имеют участок ОС при комнатной температуре. [25]
 |
Схема релаксационного генератора ( а и генератора гармонических колебаний на однопереходном транзисторе ( б. [26] |
Работа цепи эмиттера ничем не отличается от работы S-диода в аналогичной схеме. Величины Ко и УСр однопереходного транзистора более стабильны к изменениям температуры, чем аналогичные параметры других приборов с характеристикой S-типа. [27]
При работе в схеме генератора релаксационных колебаний роль S-диода сводится к том /, что когда напряжение на конденсаторе падает до Уор, S-диод замыкает его, а когда напряжение на конденсаторе падает до Vo - размыкает. Так как tP C Т, а индуктивность S-диода эффективно проявляется лишь на участке отрицательного сопротивления, то при работе в схеме релаксационного генератора индуктивность S-диода практически не проявляется. Для использования индуктивности S-диода необходимо, чтобы большую часть периода колебаний рабочая точка находилась на участке отрицательного сопротивления. Простейшим способом осуществления этого является уменьшение величины емкости. При дальнейшем уменьшении емкости точка е смещается ближе к в. При некоторой величине емкости рабочая точка весь период находится на участке отрицательного сопротивления и индуктивность S-диода действует также в течение всего периода. В этом случае индуктивность S-диода, его отрицательное сопротивление и внешняя емкость образуют колебательный контур, колебания в котором могут быть гармоническими. Очевидно, с ростом емкости форма колебаний изменяется от гармонической к релаксационной. [28]
 |
Схема нейристора и положение рабочей точки на. [29] |
Схема нейристора показана на рис. 8.1. Он представляет собой цепочки S-диодов, имеющих общую - базу с л - конктактом к ней. [30]
Страницы: 1 2 3 4