Cтраница 3
Стрелками внутри образца показаны пути миграции атомов. [31]
С повышением температуры подложки скорость миграции атомов увеличивается и устойчивым оказывается лишь относительно небольшое количество зародышей, наиболее прочно закрепленных на поверхности, которые, разрастаясь, создают крупнозернистую структуру пленки. [32]
С-С или С-гетероатом в результате миграции атомов, отличных от водорода, или групп атомов), который проявляется в образовании ионов, не соответствующих структурным фрагментам исходной молекулы. [33]
На рис. V-20 показано влияние миграции атомов азота по поверхности на эмиссию различных граней. [35]
Первый из них заключается в собственной диффузионной миграции атомов вещества А по подложке Б по механизму перекати-поле, в соответствии с которым атомы А, отрываясь от слоя вещества А, свободно перемещаются по твердой поверхности. Второй механизм заключается в растекании путем самодиффузии: вещество А течет по Б, но атомы вещества А за счет адсорбции на поверхности Б практически по ней не перемещаются. [36]
Радикалы могут претерпевать перегруппировки с миграцией атомов и ( или) функц. При этом всегда происходит образование более стабильного радикала, чем исходный. Для алкильных, алкоксильных, аминильных, амидиль-ных радикалов характерна 1 5-миграция атома Н от атома С к радикальному центру. [37]
В данном случае изомеризация идет путем миграции атома - хлора в промежуточном хлоризопропил-радикале. Выход изопро-пилхлорида повышается в присутствии хлористого водорода: G ( изопропилхлорид) возрастает от 56 до 80 если прибавить от 1 до 2 ммоль / л газообразного хлористого водорода. [38]
Примером 1 2-перегруппировки свободных радикалов является миграция атома хлора, наблюдавшаяся в ходе реакции 3 3 3-трихлорпропена с Bi2 в присутствии пероксидов. [39]
Это указывает на то, что миграция атома брома происходит не в самих сульфокислотах, а в образующихся при гидролитическом расщеплении бромаминоантрахинонах в процессе их дальнейшего нагревания с серной кислотой. [40]
Изменяя температуру подложки и соответственно скорость миграции атомов, можно реализовать различные механизмы роста и получать различные типы структур покрытия. Зона / ( глубинная) образуется при температуре процесса Т - 0 26 Тпл и отличается равновесной структурой. [41]
Изменяя температуру подложки и соответственно скорость миграции атомов, можно реализовать различные механизмы роста и получать различные типы структур покрытия. Зона / ( глубинная) образуется при температуре процесса Т 0 26 Тпл и отличается равновесной структурой. [42]
Известны перегруппировки свободных радикалов за счет миграции атома галоида. [43]
Однако в большинстве случаев разрыв связей при миграции атомов или атомных группировок осуществляется гетероли-тически. [44]
Наиболее наглядным примером индивидуальной диффузии, является миграция атомов металлоида в фазах внедрения, где базисное вещество ( металл или интерметаллическое соединение) обычно упаковано в решетку с высокой степенью упорядоченности, поэтому его участие в диффузии крайне незначительно. Напротив, атомы металлоида в нестехиометрических фазах внедрения образуют сильно разупорядоченную подсистему, и следовательно, обладают высокой диффузионной подвижностью. Поэтому при наличии градиента химического потенциала внедренных атомов они создают значительные диффузионные потоки, пронизывающие жесткий каркас подрешетки базисного вещества. [45]