Миграция - носитель
Cтраница 1
Миграция носителей по узлам, обладающим энергетическими барьерами, относится к задачам теории протекания. В аморфных твердых телах, где носители в лучшем случае перемещаются прыжками ( или, что более правильно, туннелируют обычно с участием локальных фононов), состояния, расположенные в щели подвижности, могут образовывать статистические группы или кластеры, внутри которых молекулы разделены расстояниями, характерными для кристалла. Следует подчеркнуть, что это касается только расстояний, трансляционная же упорядоченность в случае слабых связывающих взаимодействий не нужна. Движение носителя внутри каждого кластера, погруженного в непроводящую среду, должно быть подобно движению в кристалле, но перемещения между кластерами из-за больших расстояний между молекулами должны происходить гораздо медленней. Тем не менее наличие в полимере областей кристалличности обеспечивает одинаковость расстояний между хромофорными группами и уменьшает число длинных прыжков. Как показано в табл. 6.3, фотопроводимость возрастает с увеличением степени кристалличности. При увеличении концентрации проводящих узлов после прохождения порога протекания движение носителей должно происходить так же, как в чистой, не содержащей препятствий, системе. На рис. 6.5.20 показана схема опыта, демонстрирующего явление протекания и основанного на измерении проводимости смеси алюминиевых и стеклянных шариков. [1]
По этому механизму необходимое для миграции носителей по оси с кристалла электрическое поле возникает в момент воздействия на сегнетоэлектрик пучка света с неоднородным распределением интенсивности. Конечный эффект изменения показателя преломления в области воздействия света обусловлен поляризационными изменениями, происходящими в ячейках, содержащих ионы, являющиеся донорами или акцепторами электронов. [2]
Принято считать, что процесс миграции носителей заряда при фото - и темновой проводимости одинаков, хотя механизм возникновения зарядов может быть различным. [3]
Проводимость пластмасс при переменном напряжении не обязательно обусловлена миграцией носителей зарядов в материале. Изолирующие материалы могут содержать связанные заряды; под влиянием напряженности электрического поля возможно дополнительное появление связанных зарядов различного типа, которые в электрическом поле будут ограниченно перемещаться. Эти перемещения сопровождаются поглощением энергии, зависящим от температуры и частоты прикладываемого напряжения. [4]
Для компенсации пространственного заряда миграция дырок должна всегда компенсироваться миграцией носителей отрицательного заряда, в данном случае, вероятно, вакантных ка-тионных узлов. Обесцвечивание кристалла, содержащего свободный галоид, путем нагревания следует объяснить испарением молекул галоида из поверхности. При высокой концентрации ( пересыщении) такое испарение должно протекать также и внутри кристалла, а именно, на некоторых местных нарушениях или пустотах. В результате образуются газовые пузырьки и кристалл мутнеет. [5]
В приведенном рассуждении предполагалось, что диссипативный ток полностью обусловлен миграцией носителей заряда. Однако это не всегда так, поскольку и другие, зависящие от времени процессы в растворе также могут приводить к рассеянию электрической энергии в виде тепла в соответствующем диапазоне частот, зависящем от скорости этих процессов ( см. разд. [6]
Во многих случаях скорость электрохимических реакций на таких электродах определяется скоростью миграции носителей тока через слой. [7]
Из изложенного следует, что использование адсорбционных катализаторов с пуассоновским распределением по областям миграции носителя перемещает возможный максимум информации в область достаточно малых атомных субкристаллических образований, что позволяет по уравнениям теории активных ансамблей определять состав активного центра ( п) и другие его свойства. [8]
При этом собственная разупорядоченность не достигается и при наиболее высоких температурах участок II имеет наклон, соответствующий энергии активации миграции носителей. В области более низких температур ход кривой 2 повторяет ход кривой 1 для чистого образца, так что участок III также связан с ассоциацией дефектов в парные комплексы. [9]
В частности, тангенс угла наклона прямых участков на рис. 6.4, б отличается от такового на рис. 5.3 на постоянную величину U / k, связанную с затратами энергии при элементарном акте миграции носителя. [10]
За исключением сравнительно редких случаев, опыт дает для п небольшие целые числа ( 1, 2, 3) и, следовательно, говорит в пользу активности некоторых определенных и притом небольших атомных группировок - ансамблей, - запертых в областях миграции носителя, как в потенциальных ямах. [11]
 |
Зависимость выхода радикалов ПММА от ширины запрещенной зоны Ед использованных адсорбентов. [12] |
Расчет показывает, что в этих условиях К составляет 5 - 7 нм. Следует, однако, отметить, что этот расчет является в достаточной степени приближенным, так как процесс миграции сверхравновесных носителей характеризуется существенным разбросом по длинам пробега. Этот разброс, вероятно, связан с наличием дефектов в кристаллической решетке. [13]
Ввиду сказанного ранее о селективности передачи различных форм молекулярной энергии в газовой фазе, уравнения ( 2) и ( 3) указывают на целесообразность исследования цепных реакций методом последовательных добавок молекул соответствующих разбавителей. В прошлом инертные разбавители добавляли главным образом при очень низких давлениях, для того чтобы уменьшить диффузию и затруднить миграцию свободно-радикальных носителей цепи к стенкам реакционного сосуда, где, как предполагалось, они захватываются. Конечно, это очень важный эффект. Но, вообще говоря, даже при высоких давлениях разбавители в газовой фазе могут сильно повлиять на относительную роль различных форм, в которых проявляется энергия химической реакции непосредственно после химического превращения. Это происходит потому, что разбавители по-разному ускоряют достижение максвелл-больцмановского распределения молекул, обладающих избытком энергии той или иной формы. Если избыток представляет собой химическую потенциальную энергию свободных радикалов, то даже высокие давления разбавителя лишь слабо влияют на протекание цепной реакции. [14]
Ввиду сказанного ранее о селективности передачи различных форм молекулярной энергии в газовой фазе, уравнения ( 2) и ( 3) указывают на целесообразность исследования цепных реакций методом последовательных добавок молекул соответствующих разбавителей. В прошлом инертные разбавители добавляли главным образом цри очень низких давлениях, для того чтобы уменьшить диффузию и затруднить миграцию свободно-радикальных носителей цепи к стенкам реакционного сосуда, где, как предполагалось, они захватываются. Конечно, это очень важный эффект. Но, вообще говоря, даже при высоких давлениях разбавители в газовой фазе могут сильно повлиять на относительную роль различных форм, в которых проявляется энергия химической реакции непосредственно после химического превращения. Это происходит потому, что разбавители по-разному ускоряют достижение максвелл-больцмановского распределения молекул, обладающих избытком энергии той или иной формы. Если избыток представляет собой химическую потенциальную энергию свободных радикалов, то даже высокие давления разбавителя лишь слабо влияют на протекание цепной реакции. [15]
Страницы: 1 2