Cтраница 2
Некоторые-недостатки простой зонной модели были отмечены де Буром и Вервеем в 1937 г. [8]; исследуя в качестве примера NiO, они пришли к выводу, что проводимость обусловлена перескоком носителя заряда с одного уровня, локализованного у катиона, на другой, а не миграцией носителей по незаполненной-полосе делокализованных Зй8 - электронов. [16]
В настоящее время вопрос о причине возникновения внутреннего поля в некоторых сегнетоэлектриках остается открытым. Предлагаемое авторами [4.42] объяснение фотовольтаического эффекта основано на локальной асимметрии структуры сегнетоэлектрика. Они полагают, что разделение зарядов связано с различной вероятностью миграции носителей в положительном и отрицательном направлении оптической оси. Это обусловлено различной величиной диполей Nb-Fe в с направлении. Не обсуждая выводов данной работы, отметим, что вопрос об асимметрии диффузии в системах с различной конфигурацией дипольных моментов может быть выяснен непосредственным расчетом вероятности миграции носителей по различным направлениям в поляризованных кристаллах. [17]
Однако для многоцентровых адсорбционных катализаторов информационная энтропия активности вносит уже существенный вклад в полную энтропию информации катализатора. Учет активационнои информации катализатора может вносить существенную поправку в величину полной энтропии, повышая ее примерно в 1 5 - 2 раза. При этом оказывается, что активационная энтропия близка к структурной. Таким образом, использование адсорбционных катализаторов с пуассоновским распределением по областям миграции носителя перемещает возможный максимум информации в область достаточно малых атомных субкристаллических образований, что позволяет по уравнениям теории активных ансамблей определять состав активного центра ( п) и другие его свойства. Сказанное подтверждает эффективность использования понятия энтропии информации для характеристики и предсказания существенных свойств различных каталитических систем. [18]
В настоящее время вопрос о причине возникновения внутреннего поля в некоторых сегнетоэлектриках остается открытым. Предлагаемое авторами [4.42] объяснение фотовольтаического эффекта основано на локальной асимметрии структуры сегнетоэлектрика. Они полагают, что разделение зарядов связано с различной вероятностью миграции носителей в положительном и отрицательном направлении оптической оси. Это обусловлено различной величиной диполей Nb-Fe в с направлении. Не обсуждая выводов данной работы, отметим, что вопрос об асимметрии диффузии в системах с различной конфигурацией дипольных моментов может быть выяснен непосредственным расчетом вероятности миграции носителей по различным направлениям в поляризованных кристаллах. [19]