Миграция - вакансия
Cтраница 1
Миграция вакансии, очевидно, является результатом перескоков в эту вакансию соседних атомов. [1]
 |
Точечные несовершенства. [2] |
Миграция вакансий происходит в результате последовательных дискретных перескоков от одного узла кристаллической решетки к другому соседнему. Если в металле отсутствует заметное силовое поле, то процесс миграции вакансий к их стокам может быть полностью беспорядочным. [3]
Предположим, что миграция вакансий от ступенек первого типа к ступенькам второго типа происходит в объеме. [4]
Процесс диффузии объясняется миграцией вакансий; большая концентрация вакансий кислородного, иона ( около 7 5 %) в структуре Zr0j85Ca0jl501S5, обусловленная составом этого соединения, приводит к высокому значению коэффициента диффузии. Так как число вакансий кислородного иона не зависит от температуры, измеренная энергия активации соответствует энергии, необходимой только для перемещения кислородных ионов в решетке типа флюорита по механизму вакансий. [6]
Действительно, энергия образования и миграции вакансий в о. Следовательно, при одинаковой гомологической температуре первые содержат значительно меньше вакансий, чем вторые, но подвижность вакансий и коэффициент диффузии в о. [7]
Если использовать экспериментальные значения энергий образования и миграции вакансий в Si [ - 2 5 и 0 33 эВ ], то расхождение будет еще больше. [8]
Ет - высота потенциального барьера ( энергия миграции вакансии), который должен преодолеть атом, чтобы перейти из одного положения равновесия в другое; v0 - 1013 с - - собственная частота колебаний атома. [9]
Бэйке и Келли [87] определили энергию образования и миграции вакансий в графите, предполагая, что для процесса самодиффузии справедлив ва-кансионный механизм. Они получили меньшие значения, чем указанные выше. По их мнению, энергия образования вакансий заключена в интервале 2 4 - 4 2 эв, в то время как энергия миграции вакансий лежит в интервале 3 2 - 3 7 эв. Изучая диффузию атомов в кристаллах природного графита, он полагает, что энергия образования вакансий равна теплоте сублимации, а перемещения - равна 4 03 эв. Однако Кантер допускает, что энергия образования вакансий в графите может быть значительно ниже, чем теплота сублимации, если учесть релаксационные зф-фекты. [10]
Пользуясь моделью жесткой среды, можно грубо оценить энергию миграции Evm вакансии. Пусть соседний с вакансией атом переходит в промежуточное положение, окруженное двумя вакантными узлами. [11]
Пластическая деформация кристаллов является следствием перемещения дефектов кристаллической решетки: миграция вакансий вызывает деформацию, связанную с массопереносом, распространение дислокаций вызывает деформацию, связанную со скольжением. Кроме тогр, в поликристаллах источником деформации может быть перемещение границ зерен. [12]
Если проскальзывание вдоль границ зерен не аккомодируется дислокационным скольжением или направленной миграцией вакансий, то на границах зерен возникают пустоты или трещины. [13]
Кроме того, исследование процесса закалки позволяет получить данные по энергии миграции вакансий. Поэтому в табл. 3.1 представлены данные, позволяющие сравнить результаты этих экспериментов. [14]
В первом случае, когда основными причинами разрушения являются искажение зерен и миграция вакансий внутри зерна, с физической точки зрения логичным будет считать, что роль эффективных напряжений могут играть некоторые функции касательных напряжений, максимальное касательное напряжение или интенсивность напряжений. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5