Cтраница 4
Следовательно, в этом случае мы имеем дело не с простой миграцией вакансий, хотя можно заранее сказать, что эти окислы должны иметь дефекты Шоттки. Диффузия кислорода должна осуществляться либо за счет комплексов дефектов, таких, как ( JHJ2 О) с концентрацией, пропорциональной p - g, либо за счет внедренных атомов кислорода. [46]
![]() |
Закаленная часть дефектов в зависимости от величины. [47] |
Точки ложатся на кривую, свидетельствуя, что величина DqTqiq определяет потерю вакансий, как предсказывалось выше. Это согласие является существенным дополнительным подтверждением величин, полученных для энергий образования и миграции вакансий. [48]
Херринг [1] детально рассматривал деформацию проволок с диаметром, равным размеру зерен. Автор высказал предположение, что в этом случае зерна деформируются при помощи диффузионного механизма миграции вакансий. [49]
Эти элементы, имеющие малый атомный радиус, образуют с железом твердые растворы внедрения. Диффузия атомов С, N и В протекает по междоузельному механизму и не требует образования и миграции вакансии, поэтому в решетке железа эти элементы занимают часть межатомных октаэдрических междоузлий. [50]
При температурах, близких к температуре плавления, когда высока концентрация вакансий в атомной решетке и интенсивна самодиффузия, поликристаллические материалы могут деформироваться вследствие диффузионной ползучести. Этот вид деформации происходит путем диффузии атомов к границам, нормальным к линии действия силы, и миграции вакансий к границам, параллельным направлению сил. В результате из-за диффузионной ползучести кристалл удлиняется в направлении приложения сил. [51]
Поскольку движение ступеньки, поглощающей, например, вакансии, эквивалентно ее движению путем образования межузельных атомов, а движение ступеньки противоположного знака посредством поглощения межузлий эквивалентно ее движению путем образования вакансий, то скорость движения каждой ступеньки определяется двумя параллельно протекающими процессами, причем скорость движения дислокации будет лимитироваться скоростью более медленных ступенек. Поскольку на основе теоретических расчетов [536, 537] получено, что в кристаллах Ge и Si энтальпия образования и миграции вакансий примерно вдвое превышает энтальпию образования и миграции межузлий, в работе [500] сделано предположение, что подвижность дислокаций при малых т определяется скоростью движения ступенек, поглощающих межузлия и образующих вакансии при своем движении. [52]
Геометрически порог на краевой дислокации может перемещаться без затруднений. Поэтому даже при рассмотрении перераспределения атомов энергия движения порога должна быть намного меньше, чем энергия активации миграции обычной вакансии. [54]
![]() |
Схематическое изображение дислокационной структуры ( 1 - полосовая, 2 - венная и топографии ( 3 поверхности кристалла, подвергнутого циклической деформации. [55] |
На поверхности образцов единичные полосы оставляют след в виде интрузий и экструзий с преобладанием последних для большего числа циклов нагружения. Согласно модели Полака [94], в процессе усталости возникает сильный градиент концентрации точечных дефектов по нормали к плоскости скольжения, что вызывает миграцию вакансий и массоперенос в макрополосу. Возникающие при этом дополнительные напряжения релаксируют в процессе циклического упрочнения, что отражается на топографии поверхности образцов в виде характерных выступов, обрамленных тонкой структурой интрузий и экструзий. Затем активизируется вторичная система скольжения, вследствие чего в середине полосы наблюдается преобразование полосовой дислокационной субструктуры в ячеистую. Образование ячеистой субструктуры приводит к упрочнению материала внутри полосы, вызывает сокращение производства точечных дефектов и ограничение их миграции на большие расстояния. Границы ячеек могут адсорбировать значительную часть подвижных дефектов. [56]
Облучение нейтронами при температурах, превышающих 0 24 Гпл для металлов с ОЦК-решеткой и 0ЗГПЛ для металлов с ГЦК-решеткой, приводит к образованию вакансионных пор и полостей, заполненных газом. Плотность пор в металлах с ОЦК-решеткой выше, чем в металлах с ГЦК-решеткой, что может быть следствием более низкого значения отношения энергии миграции вакансий к энергии их образования у металлов с ОЦК-решеткой. [57]
Убедительное экспериментальное доказательство вакансион-ного механизма диффузии дано сравнением энергии активации самодиффузии меченых атомов в чистых металлах и суммы энергий образования и миграции вакансий в этих же системах. Из теории следует, что, так как при диффузии меченых атомов в чистом металле корреляционный множитель константа, энергия активации должна быть равна сумме энергий образования и миграции вакансий. [58]
Легирование третьим компонентом может замедлить атомное перераспределение образованием устойчивых сегрегации основного легирующего элемента около атомов примеси ( ближний порядок в тройном сплаве) или уменьшением числа возможных путей миграции вакансий из-за энергетической невыгодности разрыва связей между атомами примеси и основного металла. Таким образом, для эффективного уменьшения диффузионной подвижности в сплаве необходимо вводить в него малые присадки такого элемента, который может образовывать ковалентные или ионные связи с отдельными компонентами сплава. [59]
Некоторые из этих центров сопада-ют по энергетическому положению с известными радиационными дефектами, но имеют другие области температурной устойчивости. Напомним, что в облученном кремнии данный уровень соответствует Л - центру и появляется только после отжига образцов в диапазоне 150 - 200 К, поскольку для его возникновения необходима миграция вакансий и их захват атомами кислорода. Поэтому этот уровень, по-видимому, связан с водородсодержащим центром. Ес - 0 45 эВ), и одного центра захвата дырок Я ( Ev 0 18 эВ), которые образуются в результате миграции водорода и дефектов и их взаимодействия. [60]