Микро-твердость

Cтраница 2

На основании приведенных данных можно считать твердо установленным экстремум значений проводимости, магнитной восприимчивости, плотности и микро-твердости у стекол системы мышьяк-селен, содержащих - 9 ат. [16]

Зависимость предельной деформации от градиента деформации. - О - СгЗ. X-алюминий. Д - ЛС59 - 1.| Результаты экспериментальной проверки линейной модели макротвео-дости. X - расчет по формуле. [17]

Если справедливо соотношение (4.1), то из существования единой для различных напряженных состояний связи между макротвердостью и интенсивностью напряжений в пластической области следует существование единой связи между микро-твердостью отдельной структурной составляющей и OQ. Разу меется, при определении интенсивности - напряжений измерением микротвердости возникают, некоторые затруднения, связанные с анизотропией механических свойств зерен. Однако, как показал подробный статистический анализ, выполненный Б. П. Че-баевским и А. С. Соляником, достаточно, сравнительно небольшого числа измерений микротвердости структурной составляющей для стабилизации арифметического среднего этих измерений. [18]

Для определения причин разрушения материалов существуют разнообразные методы исследования и испытаний, это - макро - и микроскопический анализы, а также механические испытания: испытание на растяжение и на ударный изгиб ( ударную вязкость), определение микро-твердости. [19]

Область стеклообразования. [20]

Установлена область стеклообразования в системах Sb-Ge-So и Bi-Ge-Se. По шести разрезам, характерилующимся одинаковым содержанием Ge, изучены микро-твердость, температура размягчения и электропроводность. На основании положения областей стеклообразования и характера изменения свойств стекол в изученных системах сделан вывод о сложном взаимодействии компонентов и о возможности образования в стеклах структурных узлов, содержащих все три компонента. [21]

Его средние результаты даны е табл. 14 вместе с типичным значением микро-твердости для нелегированной а-фазы. Необходимо иметь в виду, что твердость стабилизированных фаз до некоторой степени зависит от присутствия легирующих элементов. [22]

Обычно определение скорости движения дислокаций проводят при постоянном уровне действующих напряжений. Это условие наиболее строго соблюдается при движении индивидуальных дислокаций и менее строго при определении скорости по длине разбега дислокационного луча, получаемого либо при стандартной методике чистого изгиба кристалла после нанесения царапины, либо при отжиге отпечатка микро-твердости. Представляло интерес для условий одноосного динамического сжатия попытаться определить скорость движения дислокаций и энергию активации этого процесса в приповерхностных и объемных слоях материала, хотя точные измерения здесь, естественно, затруднены, так как, во-первых, в кристалле происходит не единичное, а групповое движение дислокаций, и, во-вторых, уровень напряжений постоянно меняется. [23]

Страницы: 1 2