Микродефект

Cтраница 2

Микродефекты типа Шоттки возникают в решетке вследствие миграции ионов к поверхности кристалла, где они образуют новые слои. Такой механизм был назван Я - И. [16]

Все микродефекты обладают потенциальной энергией. [17]

Распределение микродефектов в бездислокационных монокристаллах зависит от колебаний микроскопической скорости роста и формы фронта кристаллизации. [18]

Существование микродефекта приводит к изменению распределения напряжения в образце, что вызывает концентрацию напряжения в области микродефекта. Однако размеры образца для достижения таких высоких значений прочности должны быть весьма малы, что неудобно для проведения измерений. Кроме того, разрушение микрообразцов нельзя сопоставлять с разрушением реально работающих резиновых деталей, имеющих всегда достаточно большие размеры. Таким образом, применение микрообразцов не представляется целесообразным. Поэтому более целесообразным с практической точки зрения является испытание достаточно массивных образцов, вероятность нахождения микродефектов Е которых примерно одинакова. Такому условию отвечают образцы толщиной около 2 - Ю-3 м ( 2 мм) [ 76, с. Значения разрушающих напряжений для таких образцов существенно меньше, чем для тонких, но кривая распределения значительно уже. Необходимо отметить, что релаксационный характер разрушения проявляется независимо от размера разрушаемых образцов. [19]

Наличие микродефектов связано не с браком проката трубы, как было подтверждено Всесоюзным научно-исследовательским институтом разработки и эксплуатации нефтепромысловых труб, а с большой нагрузкой, которая привела к преждевременному разрушению трубы. [20]

Количество микродефектов структуры на стыке белого слоя с нижележащим незначительно. [21]

Кристаллы октаэдриче. 12 ДаЖ6 ПрИ неискаженной в ешней форме кри. [22]

С микродефектами кристаллической решетки связаны не только процессы диффузии в твердых телах, но и многие другие их физико-химические свойства. [23]

С микродефектами кристаллической решетки связаны не только процессы длффузии в твердых телах, но и многие другие их физико-химические свойства. [24]

Если определяются микродефекты в зернах поликристалла, то, как видно из этих выражений, границы поворотного типа - это источники и вихри дислокаций. Кроме того, в уравнения входит размер зерна I. Вторая пара соотношений показывает, что источниками и вихрями дисклинации являются границы трансляционного типа. Если размер зерна большой, дго правой частью в этих уравнениях можно пренебречь. [25]

Для выявления микродефектов используют также метод растровой электронной микроскопии. Используя вторичные электроны, выбитые из приповерхностных слоев первичным, электронным пучком, можно получить изображение микродефектов предварительно протравленной поверхности. Метод обладает большой глубиной резкости и позволяет получить качественно изображение фигур травления. [26]

Подсчитано количество микродефектов в зоне разрушения. За критерий степени повреждаемости выбрана суммарная длина микротрещин 2 i B каждом исследуемом сечении образца. [27]

Специфическое влияние микродефектов проявляется и на поверхности окиси иттрия. [28]

Другим источником ростовых микродефектов могут быть легирующие и сопутствующие фоновые примеси, когда их концентрация в выращиваемом монокристалле достаточна для образования в процессе посткристаллизационного охлаждения ( или при последующей термообработке) пересыщенного примесного твердого раствора в данном полупроводниковом материале. Характерными примерами в этом отношении являются легирующие примеси в сильно легированных полупроводниках, а также кислород в выращиваемых по методу Чохральского монокристаллах кремния. [29]

Для перекрытия возможных микродефектов подложки УФ - мембрану получали нанесением нескольких слоев ( состав свежеприготовленной композиции при этом для каждого слоя не менялся), причем после нанесения каждого слоя, мембраны подвергались термообработке, согласно подобранному режиму. Создание 1 и 2 слоев не покрывает всех дефектов подложки, многократное же нанесение композиции позволяет получить требуемый селективный слой, хотя при этом неизбежно повышение толщины слоя и частичное проникновение композиции в поры подложки. [30]

Страницы: 1 2 3 4