Микродуга

Cтраница 1

Зависимость напряжения, необходимого для образования треков током утечки, от концентрации загрязнений ( водный раствор хлористого аммония для трех слоистых пластиков26 ( в заштрихованной области треки не образуются. [1]

Микродуги на поверхности являются необходимым, но не достаточным условием для появления треков. Несколькими исследователями25 46 47 показано, что треки образуются при критическом напряжении. На рис. 38 представлена зависимость напряжения, необходимого для инициирования возникновения треков при прохождении тока утечки на поверхности изолятора, от концентрациии загрязнений для трех слоистых пластиков. Для гетинакса образование треков при подведении одинаковой энергии к поверхности не зависит от напряжения. [2]

Микродуги на поверхности являются необходимым, но не достаточным условием для появления треков. Несколькими исследователями25 4в 47 показано, что треки образуются при критическом напряжении. На рис. 38 представлена зависимость напряжения, необходимого для инициирования возникновения треков при прохождении тока утечки на поверхности изолятора, от концентрациии загрязнений для трех слоистых пластиков. Для гетинакса образование треков при подведении одинаковой энергии к поверхности не зависит от напряжения. [4]

Устройство игнитрона. [5]

Появление самостоятельного разряда - микродуги - у зажигателя игнитрона объясняют следующим. [6]

Одновременное появление в мостике двух микродуг маловероятно, так как для этого необходимо, чтобы в двух местах контактирования были совершенно одинаковые условия. [7]

Процесс электрокрекинга происходит при образовании кратковременных микродуг между угольками-электродами, погруженными в жидкое сырье. [8]

Под понятием микроразряды подразумеваются микроискры и микродуги, образующиеся при смыкании и размыкании цепочек. Микро-искры образуются при приближении частиц на расстояние, пробиваемое при данном напряжении, которое практически равно напряжению между электродами, чем и объясняется большая интенсивность разряда в этом звене. Микродуги образуются по месту разрыва цепочек и также отличаются большой интенсивностью. [9]

Последовательная схема, эквивалентная конденсатору с потерями.| Параллельная схема, эквивалентная конденсатору - с потерями. [10]

Явление мерцания, связанное с появлением микродуг между основной частью металлизированной обкладки и островками металла у ее краев, может заметно увеличивать потери энергии в конденсаторах. [11]

Очевидно, должны существовать критические условия возникновения микродуг на поверхности. На практике критические условия встречаются лишь периодически и в течение короткого времени. По этой причине при испытаниях, предусматривающих беспорядочное загрязнение45, образование треков на поверхности изолятора происходит очень медленно. [12]

Очевидно, должны существовать критические условия возникновения микродуг на поверхности. На практике критические условия встречаются лишь периодически и в течение короткого времени. По этой причине при испытаниях, предусматривающих беспорядочное загрязнение 5, образование треков на поверхности изолятора происходит очень медленно. [13]

Все это создает большие трудности при изучении механизма разложения в микродугах. [14]

Вследствие пробоя в отдельных точках обрабатываемой поверхности наиболее слабых мест пленки образуются микродуги, развивающие высокую температуру. Таких точек одновременной, обработки может быть достаточно много и тем больше, чем больше обрабатываемая поверхность. Оплавление отдельных выступов поверхности накладывается по времени друг на друга, образуя непрерывный процесс съема металла. [15]

Страницы: 1 2 3 4