Микролинза
Cтраница 2
 |
Фотоэлектронный микроскоп. [16] |
Вторичная эмиссия с образца неоднородна по всей поверхности из-за влияния магнитных микролинз доменов, различно намагниченных но отношению к поверхности катода. [17]
 |
Схематическое изображение двухкаскадного УДАЭЛ с коррекцией и электростатическим отклонением. [18] |
Полоски размещены друг от друга на расстоянии, равном интервалу расположения микролинз в корректирующем растре. [19]
В УДАЭЛ имеются две корректирующие пластины с отверстиями и два растра микролинз. После первого каскада отклонения помещены корректирующая пластина и растр из 16 микролинз, после второго - корректирующая пластина и растр из 256 микролинз. Время установки луча в одно из 4096 положений составляет около 1 икс. [20]
 |
Схематическое изображение комбинированной системы дискретной адресации. [21] |
Луч, сформированный электронной пушкой /, с помощью дополнительной линзы и растра микролинз преобразуется в растр, состоящий из 64 лучей. Выбранный луч затем отклоняется с помощью цифроаналоговых преобразователей и растровых отклоняющих пластин в одно из 1024 положений. Таким образом, происходит дискретная адресация электронного луча в одно из 65 536 положений. [22]
Угол падения электронного луча на микролинзу определяется первым каскадом отклонения, а выбор микролинзы выполняет второй каскад отклонения. Каждая микролинза формирует в плоскости носителя информации 6 малый растр, число точек в котором равно числу дискретных углов падения электронного луча. [23]
Датчик волнового фронта Гартмана - Шаже, состоящий из массива одинаковых узких отверстий или матрицы микролинз [52], служит для восстановления фазы. [25]
Общее количество дискретных положений луча равно произведению числа дискретных положений луча, обеспечиваемых первой отклоняющей системой, и количества микролинз. [26]
В миниатюрных приборах перспективно применение граданов, оптических элементов с плоскими торцами, фокусирующих изображение за счет специального подобранного профиля показателя преломления стекла в их сечении, растры из микролинз для мультиплицирования изображений. [27]
В электростатических линзах проще получить идентичность параметров микролинз, а в магнитных линзах вследствие магнитного сопротивления материала, из которого выполнены полюсные наконечники с растром отверстий, изменяется фокусное расстояние микролинз в зависимости от их пространственного положения. Качественная работа как электростатических, так и магнитных - растровых линз в значительной степени определяется чистотой и точностью обработки отверстий в растрах. Необходимость индивидуального управления каждым электронным лучом в растровых электронных пушках приводит к значительному усложнению их конструкции. [28]
Если корректирующая пластина с отверстиями входит в состав микролинз, то неперпендикулярность электронного луча плоскости, растра, а также непараллельность траекторий электронов в луче вызывают ошибки положения сфокусированного луча после прохождения микролинз. Поэтому к УДАЭЛ ( см. рис. 36) предъявляются жесткие требования на ограничения максимально допустимых углов схождения электронных лучей. [29]
Кроме того, вероятно, диффундируемый из залежи газ распределяется не во всем объеме глин, а концентрируется с высоким коэффициентом насыщенности в тонких прослойках песчано-але-вритового материала на плоскостях напластования отдельных прослоев глин или в отдельных микролинзах коллекторов. Это может приводить к значительному эпизодическому газообогащению промывочной жидкости при бурении глинистых толщ, а также к увеличению вертикальной составляющей удельного электрического сопротивления таких отложений. На значение горизонтальной составляющей удельного электрического сопротивления глин, регистрируемое обычными электрометрическими методами и используемое для выделения зон АВПД, это не оказывает существенного влияния. Сказанное выше нужно иметь в виду при количественной оценке давлений по данным электрометрических исследований в толщах глин, залегающих над залежами. [30]
Страницы: 1 2 3