Cтраница 4
При изменении температуры микронапряжения могут возникнуть из-за наличия в металле различных по природе компонентов с различными коэффициентами линейного расширения ( например, зерна графита в чугуне, случайные включения), а также из-за анизотропии свойств отдельных зерен, особенно для металлов с некубической решеткой, обусловливающей различие в величине линейного расширения по разным кристаллографическим осям. [46]
Эти усилия соответствуют микронапряжениям сплошной среды. [47]
Физическим точкам V соответствуют микронапряжения 1, а точкам W - напряжения а макроскопические. [48]
Если в образце присутствуют большие микронапряжения или блоки имеют очень малую величину, то измерение интенсивностей линий, отраженных под большими углами, затруднительно и смещения измеряют по линиям с небольшими значениями О. При наличии преимущественной ориентировки в образцах значения интенсивностей могут резко изменяться в различных направлениях. [49]
Образование остаточных напряжений ( микронапряжений и напряжений 3-го рода), как известно, связано с дефектами кристаллической решетки. [50]
Добавка тиомочевины способствует уменьшению микронапряжений в кобальтовых покрытиях. Однако при этом скорость осаждения кобальта падает. [51]
Пленки характеризуются высоким уровнем микронапряжений ( ориентированных и дезориентированных), свидетельствующих о большом ресурсе упругой деформации кристаллической решетки. Подобная дисперсность элементов субструктуры и их взаимная разориентировка объясняются в основном автономным образованием множества зародышей на начальной стадии конденсации, их ростом и последующим сопряжением в процессе роста пленки. [52]
![]() |
Схема неоднородного изменения межплоскостных. [53] |
Отличие макро - от микронапряжений заключается не только в величине масштаба проявления их. Макронапряжения могут возникать в любой сплошной однородной изотропной среде. [54]
Существенных изменений в величине микронапряжений Ad / d при 800 С не обнаружено. [56]
Необходимо также отметить, что микронапряжения следует учитывать только в случае хаотического распределения дислокаций. При формировании какой-либо фрагментированной субструктуры плотность дислокаций внутри фрагмента ( ячейки) падает, а на его границах растет. Это обстоятельство приводит к формированию микронапряжений на более высоком масштабном уровне, так как источником микронапряжений теперь выступают не отдельные дислокации, а границы фрагментов. [57]
Напряжения второго рода, или микронапряжения, возникают, когда в напряженном состоянии находятся отдельные зерна или локальные участки металла, но знаки и направления микронапряжений в макромасштабе взаимно компенсируются. Влияние напряжений первого порядка можно легко наблюдать разными методами. Напряжения второго порядка наблюдать трудно, и они изучены в гораздо меньшей степени. [59]
В этом случае для определения микронапряжений может быть использована теория нулевого приближения. [60]