Cтраница 2
По емкости диода подходят для скоростных счетных триггеров практически все точечные, микроплоскостные и мезадиоды. Так, диод типа Д18 имеет емкость не более 0 5 пф, диоды типа Д311 - не более 3 пф и диоды типа 2Д503Б - не более 2 5 пф. [16]
Поскольку емкость диода Ганна до возбуждения домена пренебрежимо мала, в таких приборах не существует частотного ограничения, присущего приборам с / 7-я-переходом. [17]
![]() |
Зависимость тока, протекающего через диод Ганна, от.| Мезаструктура диода Ганна.| Устройство диода Ганна. [18] |
Поскольку емкость диода Ганна до возбуждения домена пренебрежимо мала, в таких приборах не существует частотного ограничения, присущего приборам с р-п - переходом. [19]
Измерение емкости диода производится на стандартных измерителях емкости. В этих приборах используется принцип емкостно-резистивного делителя. Измерители работают на частоте 10 и 180 Мгц. На частоте 10 Мгц появляется заметная ошибка за счет влияния активной проводимости p - i - n структуры, если измерение производится при нулевом смещении. При подаче на диод обратного смещения ошибка устраняется. [20]
Измерение емкости диодов производят по схеме, приведенной на рис. 70, а. [21]
![]() |
График зависимости емкости полупроводникового диода от напряжения смещения ( а и эквивалентная схема полупроводникового диода ( б.| Эквивалентные схемы параметрических усилителей. [22] |
График зависимости емкости диода от напряжения приведен на рис. 13 - 40, а. [23]
Поскольку измерение емкости диодов производится при малом уровне сигнала на диоде ( 0 5 - 1 мв), сигнал на входе усилителя не превышает 50 - 100 мкв, поэтому усилитель должен иметь высокую чувствительность и низкий уровень шумов. Паразитная емкость держателя диода должна быть малой. Калибровка прибора ( переключатель П в позиции /) осуществляется подключением эталонного конденсатора Ск. После этого включают испытуемый диод и переключателем / 7j выбирают предел измерения, соответствующий ожидаемой величине емкости диода. На диод подается напряжение смещения. Когда рабочая точка находится в экстремуме вольтамперной характеристики, показание выходного прибора И минимально, так как отсутствует активная проводимость диода. Острота минимума зависит от плавности регулировки смещения. [24]
![]() |
Схема для измерения добротности полупроводниковых. [25] |
Перед измерением емкости диода производят калибровку шкалы измерительного прибора, для чего переключатель П ставят в положение / ( калибровка), подключая эталонную емкость Сэ - От генератора ГСН подают переменное напряжение, величина и частота которого должны быть такими же, что и при измерении емкости диода. [26]
![]() |
Частотные зависимости активного сопротивления ( а, диффузионной емкости ( б и постоянной времени ( в диодов с тонкой и толстой базами. [27] |
Низкочастотное значение диффу-зионной емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [28]
При высоких частотах емкость диодов, а отчасти и индуктивность подвижной рамки прибора уменьшают чувствительность его измерительной схемы. У точечных диодов в рассматриваемом нами частотном диапазоне еще не обнаруживается влияния частоты. У вентилей с запирающим слоем критическая частота сравнительно низкая. Для компенсации частотной погрешности у вольтметра, например, можно полностью или частично шунтировать добавочный резистор конденсатором. Другая возможность состоит в том, что сторона постоянного тока шунтируется конденсатором такой большой емкости, чтобы возникающее от этого повышение напряжения как раз компенсировало частотную погрешность. [29]
Однако следует учитывать емкость диода между выводами ПЧ. [30]