Емкость - диод
Cтраница 3
Так как уменьшение емкости диодов всегда ограничено некоторой минимальной величиной, определяемой конструкцией и технологией, целесообразно задать ее при расчете. [31]
 |
Положение динамических нагрузочных прямых во время. [32] |
Начинается процесс заряда емкости диода Сд, д растет, рабочая точка перемещается по линии А В, попадает в точку В на диффузионной ветви характеристики ТД, где ток ic О и заряд емкости Сд заканчивается. [33]
 |
Структура перехода точечного диода. 1 - игла. 2 - переход. [34] |
При увеличении обратного напряжения емкость диода уменьшается. При прямом напряжении, приложенном к диоду, емкость увеличивается. Кроме перечисленных выше электрических параметров, в паспортах диодов указывают параметры предельного режима работы диода, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной работе. [35]
При увеличении обратного напряжения емкость диодов уменьшается. [36]
 |
Частотные зависимости активного сопротивления ( а, диффузионной емкости ( б и постоянной времени ( в диодов с тонкой и толстой базами. [37] |
Низкочастотное значение диффузионной, емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [38]
 |
Возрастание реального напряжения на рш-диоде при возрастании прямого тока по сравнению с зависимостью. [39] |
Для упрощения анализа пренебрегаем емкостью диода. Основное внимание уделяется изменению избыточного заряда в нейтральных областях вне ООЗ. На переключение оказывает свое влияние / - область диода. [40]
Кроме того, максимальна и емкость диода, равная сумме барьерных емкостей коллекторного и эмиттерного р-п переходов. [41]
Дг; при этом изменяется емкость диода. Вынесение органа подстройки частоты за пределы камеры термостата и отделение электрического контура генератора высокоомным резистором R1 исключает влияние извне ( тепловое и электрическое) на генератор в процессе калибровки. [42]
 |
Зависимость заряда и дифференциальной емкости диода от. приложенного напряжения.| Схемы замещения полупроводникового диода. [43] |
Согласно соотношению ( 4) емкость диода лри uAU бесконечно велика. В действительности соотношение ( 4) справедливо только для значений напряжений и 0 2 - нО 3 в. Индуктивность малых диодов равна обычно несколько десятых миллигенри. [44]
С повышением частоты шунтирующее действие емкости диодов увеличивается и показания прибора за счет снижения общего коэффициента выпрямления уменьшаются. В схеме рис. 3.32, б при повышении частоты уменьшается доля тока, ответвляющаяся в шунт, содержащий катушку индуктивности L, что также приводит к компенсации частотной погрешности. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5