Инфракрасный микроскоп

Cтраница 2

Известно применение тепловых методов для контроля многослойных печатных плат, где определяется утонение, под-травливание и отслаивание печатных проводников как на наружных, так и на внутренних слоях. В микроэлектронных изделиях с помощью микротермовизоров и инфракрасных микроскопов удается изучать особенности различных областей в слоистом полупроводнике и даже изменение от значения электрического напряжения ширины зоны запирающего слоя р-л-перехода. [16]

Частным случаем такого контроля является анализ качества непокрытых изделий, которые в видимом свете дают малоконтрастное или неинформативное изображение. Для контроля строения различных изделий используют термочувствительные вещества, термовизор, микротермовизор, радиовизор и инфракрасные микроскопы. Так, легко различаются области неполной полимеризации синтетических пленок, горячие пятна бумаги, зоны изменения состава композиционных материалов. [17]

Рассмотрим тонкую ориентированную пленку, расположенную в плоскости ху. Это можно сделать, например, срезав тонкий участок пленки параллельно плоскости xz и исследуя его в инфракрасном микроскопе. [18]

Можно идентифицировать смеси полиолефинов, а если известны компоненты, то можно осуществить и количественный анализ. Слои, составляющих слоистый материал, можно идентифицировать после разделения слоев или с помощью анализа торца пленки, если использовать инфракрасный микроскоп. [19]

Фотографирование изображений препаратов, увеличенных микроскопом, имеет очень большое значение, так как дает возможность сохранять их во времени. Кроме того, с помощью фотографии можно превращать невидимое изображение в видимое, как это делается, например, в ультрафиолетовых и инфракрасных микроскопах. По этим причинам микрофотография широко применяется везде, где работают с микроскопами. [20]

Помимо оптических систем рассматривается также возможность использования инфракрасной техники. Поскольку большинство полупроводниковых материалов прозрачно для инфракрасных лучей, а металлы ( контакты на кристалле и на подложке) инфракрасные лучи не пропускают, последние, будучи преобразованы в видимую часть спектра, позволяют наблюдать в инфракрасный микроскоп картину, обеспечивающую надежное совмещение. [21]

Существуют еще два метода получения спектров поглощения расплавов. В первом из них [1] вещество помещают в небольшую петлю из платиновой проволоки, через которую пропускают ток; вещество плавится, и за счет сил поверхностного натяжения образуется пленка вещества, спектр поглощения которого наблюдается в поле зрения отражательного инфракрасного микроскопа. В последнее время этот метод модернизирован [2, 3] - вместо петли стали использовать сетку из платиновой проволоки - поэтому отпала надобность в микроскопе. Но для веществ с большим показателем поглощения толщина слоя все-таки велика. Получаются слишком широкие полосы поглощения и, кроме того, толщина поглощающего слоя из-за поверхностного натяжения не везде одинакова. [22]

Инфракрасные микроскопы имеют большое применение при неразрушающем контроле микроминиатюрных изделий, при работе в прошедшем или в отраженном излучении. Их использование особенно эффективно при контроле изделий микроэлектронной техники, поскольку основные материалы, из которых эти изделия изготавливаются ( германий и кремний), полупрозрачны в инфракрасной части спектра. Недостатком инфракрасных микроскопов, построенных на базе электронно-оптических преобразователей, является сложность в использовании их для автоматизированного контроля без участия оператора. [23]

Препараты для исследования готовят специально. В процессе отжига медь концентрируется на дислокациях. При изучении пластинки кремния под инфракрасным микроскопом видны дислокации, декорированные медью. [24]

Изокомы вязкости стекол системы As-S по данным. [25]

Для более обогащенных серой составов на термограммах были обнаружены два эндоэф-фекта, один из которых совпадает с температурами, отвечающими изокоме 10й пуаз. Наличие двух эффектов Tg является еще одним подтверждением заключения о микронеоднородном строении сульфидно-мышьяковых стекол, обогащенных серой. Следует, однако, отметить, что в инфракрасном микроскопе МИК-1 границы микрофаз не обнаруживаются. [26]

Минимально обнаруживаемый дефект достигает порядка 0 1 мм в диаметре. Применение металлического вращающегося зеркала увеличивает скорость сканирования в 4 раза по сравнению со стеклянным зеркалом. Возможно контролирование поверхности материала, двигающегося со скоростью свыше 15 м / с. Сканирующие лазерные системы бегущего луча могут также использоваться для получения изображения объектов контроля. Схема лазерного сканирующего инфракрасного микроскопа для контроля внутренних дефектов полупроводниковых материалов с механическим сканированием объекта контроля и неподвижным лучом лазера отличается низким быстродействием, но имеет высокую разрешающую способность. Схема с системой сканирующих зеркал отличается большим быстродействием ( до 50 кад / с при 200 - 400 строках разложения телевизионного изображения), однако наличие полевых аберраций оптической системы приводит в этом случае к снижению пространственного разрешения. [27]

Включения второй фазы хорошо обнаруживаются при инфракрасном просвечивании образцов. Этим методом были обнаружены включения в сильно легированном кремнии с примесями алюминия и сурьмы. В кристаллах с А1 эти включения крупнее и выявляются уже в процессе оптической полировки образцов перед травлением. Последующее травление позволяет вскрыть многочисленные мелкие включения. Наиболее четко включения второй фазы в исследованных образцах выявляются при наблюдении в инфракрасном микроскопе. [29]

Страницы: 1 2