Микросхема - память
Cтраница 1
 |
Схема полупроводниковой памяти емкостью 64Хп битов, построенная из микросхем ЗУ. [1] |
Микросхемы памяти на МОП-транзисторах могут быть построены двояко. В одних запоминающим элементом, как в ЗУ на биполярных транзисторах, служит триггер. Такие ЗУ являются CTYZ-тическими. [2]
Микросхемы памяти выпускают либо в составе широко известных серий микросхем общего применения, например, в сериях К155, K5GO, К564, К. [3]
 |
Структура микросхемы. [4] |
Микросхемы памяти на МДП-транзисторах для ОЗУ статического типа строятся в основном по тем же принципам матричной организации накопителя с двухкоординатной выборкой. Пример принципиальной схемы ЭП на КМДП-транзисторах приведен на рис. 5.11. Основу ЭП составляет триггер на транзисторах Т - Т Транзистор 7 5 выполняет функции ключа, управляемого сигналом на адресной шине строки Xt. Он соединяет триггер с / разрядной шиной, которая совмещает функции информационной и адресной шин столбца. Выборка строки производится сигналом 1 на адресной шине Xi, открывающим транзистор Ts. С выхода транзистора Г2 напряжение низкого уровня ( ниже порогового) переводит транзистор Т [ в закрытое, а транзистор Г3 - в открытое состояния. [5]
Микросхемы памяти, как и другие рассмотренные типы цифровых микросхем, строятся на различной элементной базе. В накопителе используются запоминающие ячейки со статическим или динамическим - хранением информации. Запоминающие ячейки ( ЗЯ) строятся на основе простейших логических элементов ТТЛ, ТТЛШ, И2Л, ЭСЛ и др., модифицированных с учетом специфики построения ЗУ. [6]
 |
Схема выводов мультиплексора 74150.| Схема выводов микросхемы памяти с произвольным доступом ( RAM 7489. [7] |
Микросхема памяти с произвольным доступом ( RAM) состоит из большого числа триггеров. Каждый триггер имеет определенный адрес, который используется при записи и считывании. Чаще всего триггеры скомпанованы в многобитные слова с определенным адресом. [8]
Микросхемы памяти с произвольным доступом ( RAM) спроектированы так, чтобы можно было их легко уплотнить без дополнительных компонентов. В версии ТТЛ микросхемы 7489 выходы реализованы с открытым коллектором. Это означает, что выходные транзисторы не функционируют должным образом без резистора нагрузки на 5 В. Так как нам в эксперименте не нужно быстродействие, такими резисторами будут резисторы с сопротивлением от нескольких сотен ом до 10 к Ом. Большинство современных микросхем памяти имеют выходы с тремя состояниями. [9]
 |
Схема выводов мультиплексора 74150.| Схема выводов микросхемы памяти с произвольным доступом ( RAM 7489. [10] |
Микросхема памяти с произвольным доступом ( RAM) состоит из большого числа триггеров. Каждый триггер имеет определенный адрес, который используется при записи и считывании. Чаще всего триггеры скомпанованы в многобитные слова с определенным адресом. [11]
Микросхемы памяти с произвольным доступом ( RAM) спроектированы так, чтобы можно было их легко уплотнить без дополнительных компонентов. В версии ТТЛ микросхемы 7489 выходы реализованы с открытым коллектором. Это означает, что выходные транзисторы не функционируют должным образом без резистора нагрузки на - Н5 В. Большинство современных микросхем памяти имеют выходы с тремя состояниями. [12]
Наиболее быстродействующие микросхемы памяти типа SDRAM для компьютеров с микропроцессорами Pentium Pro выполняются в формате DIMM со 168 контактами. [13]
Микропроцессоры и микросхемы памяти 157 Глава шестая. [14]
При использовании микросхем памяти большей емкости, например микросхемы 537РУ1 емкостью 4096 бит, собственно память может быть выполнена на одном кристалле. [15]
Страницы: 1 2 3 4