Микросхема - память
Cтраница 4
После того, как разработчик убедился в правильности монтажных соединений и работоспособности отдельных используемых ИС, в микросхемы памяти программируемых и конфигурируемых приборов может заноситься рабочая информация. [46]
 |
Временная диаграмма работы генератора КР1810ГФ84.| Схема установки микропроцессора и микропроцессорной системы в исходное состояние с помощью микросхемы К. Р1810ГФ84. [47] |
В обшем случае микропроцессорная система состоит из центрального процессора КМ1810ВМ86 с необходимым для него комплектом микросхем серий КМ1810 и КР580, микросхем памяти ( ПЗУ, ППЗУ, ОЗУ) и УВВ. [48]
 |
Сигналы интегральной микросхемы Intel 8085. [49] |
Центральный процессор микрокомпьютера включает устройство управления, арифметическо-логическое устройство, несколько регистров и несложный интерфейс, который обеспечивает подключение к центральному процессору микросхем памяти и ввода-вывода. Функциональные характеристики микрокомпьютера Intel 8085 были описаны в гл. В данном разделе будут рассмотрены специальные сигналы, которые должны передаваться от одной интегральной схемы к другой, управляя работой микрокомпьютера. [50]
Ограничения на Тм и TRL означают, что WREQ и RD будут установлены в пределах 8 не от заднего фронта TV В худшем случае у микросхемы памяти после установки MREQ и RD останется всего 25 25 - 8 - 537 не на передачу данных по шине. Это ограничение дополнительно по отношению к интервалу в 40 не и не зависит от него. [51]
Настоящее учебное пособие знакомит учащихся с основными выпускаемыми промышленностью полупроводниковыми приборами ( диодами, биполярными и полевыми транзисторами, тиристорами, оптоэлект-ронными приборами) и микросхемами ( аналоговыми и цифровыми, в том числе микросхемами памяти и микропроцессорными), а также с возможностями их применения. [52]
Хотя имеется принципиальная возможность заказать ПЗУ, ППЗУ, СППЗУ и ЭИПЗУ с уже записанной в них в соответствии с потребностями пользователя информацией, только в ПЗУ одного типа эта запись производится уже в ходе технологического процесса изготовления микросхем памяти. [53]
Микросхема памяти К561РУ2А имеет восемь адресных входных шин для выбора одного из 256 хранимых двоичных чисел. Считывание производится без разрушения информации. [54]
Многие микросхемы памяти имеют выходы с открытым коллектором, что дает возможность собирать штабели ( стеки) памяти большой емкости. [55]
Запоминающие ячейки с динамическим хранением строятся на базе накопительных емкостей транзисторов или диодов, хранящих информацию в виде накопленного заряда. Кроме ЗЯ микросхемы памяти включают схемы обслуживания - буферные схемы, дешифраторы, разрядные усилители записи - считывания, генераторы тока и напряжения и другие схемы. [56]
Память типа RDRAM ( Rambus DRAM), разработанная Rambus Inc, построена на базе специального интерфейса Rambus Interface, которым снабжается как контроллер памяти, так и каждая микросхема. Контроллер и микросхемы памяти ( их может быть до 32 штук) присоединяются непосредственно к специальной 33-про-водной шине и образуют канал Direct Rambus Channel. Таких каналов, работающих параллельно, может быть несколько. Данные, адреса и управляющие сигналы передаются по единой 16-разрядной шине. Уменьшение ширины слова данных до 16 разрядов с избытком компенсируется более высокой тактовой частотой передачи. Так, при тактовой частоте 400 МГц за счет того, что данные передаются по обоим фронтам, реальная частота передачи составляет 800 МГц, а пропускная способность канала достигает 1 6 Гбайт / с. Сама же память работает на частоте 100 МГц, но за счет многобанковой структуры имеет такую же пропускную способность - 1 6 Гбайт / с. При использовании четырех каналов ( общая ширина шины данных 64 разряда) пропускная способность достигает 6 4 Гбайт / с. Таким образом, преимущества памяти RDRAM достигаются за счет специального интерфейса, высоких скоростей передачи и многобанковой структуры, обеспечивающей эффективную обработку перекрывающихся запросов. [57]
Страницы: 1 2 3 4