Cтраница 1
Микросхема управления светодиодной шкалой непрерывного типа, обеспечивающая высве - Назначение выводов: 1 - общий ( - С / п); 2 - чивание столбика на шкале из 12 светоизлучаю - регулировка яркости; 3 - опорный вход макси-щих диодов, которые загораются поочередно мального уровня; 4 - / 5 - выходы токовых при изменении входного напряжения от мини - ключей; 16-опорный вход минимального мального до максимального значения. [1]
Расширение разрядности микросхемы управления памятью К1800ВТЗ до 16 показано на рис. 10.15. В данной схеме соединены четыре микросхемы К1800ВТЗ, одна микросхема ускоренного переноса К500ИП179 и две микросхемы серии К500 для передачи сигналов при выполнении операции сдвига вправо. Если достаточно иметь 8 или 12 разрядов вместо четырех, то используются две или три микросхемы К1800ВТЗ и дополнительные микросхемы ( кроме микросхемы ускоренного переноса) не нужны. [2]
![]() |
Вариант предотвращения защелкивания с помощью затворного резистора. [3] |
В документации на микросхемы управления всегда указывается максимальный ток, который может выдать на управляющий электрод данный тип микросхемы. [4]
![]() |
Многоразрядный процессор на К589ИК02. [5] |
Наиболее существенной является микросхема управления, определяющая последовательность микрокоманд, выбираемых из МПЗУ, и называемая обычно узлом микропрограммного управления УМУ или узлом выработки микрокоманд УВМ. Такой узел по сложности не уступает ЦПЭ. При его использовании значительно упрощается программирование. При сформированном наборе микрокоманд, записанных в МПЗУ, программирование ведется уже на уровне команд или макрокоманд. Формирование последовательностей микрокоманд с проверкой всех необходимых признаков и условий и выработка адреса следующей микрокоманды или перехода осуществляются УМУ. [6]
![]() |
Пример промышленной схемы инвертирующего стабилизатора. [7] |
Выпускаемая мировой промышленностью номенклатура микросхем управления инвертирующими стабилизаторами очень широка. [8]
Входным сигналом служит сигнал микросхемы управления стандартной амплитуды логического уровня. [9]
Совсем недавно появилось второе поколение микросхем управления электронными балластами, обладающее многими сервисными и защитными функциями. К сожалению, отечественные разработки микросхем управления электронными балластами находятся в зачаточном состоянии, поэтому автор вынужден рассказывать лишь о том, как преуспели на этом рынке зарубежные фирмы-производители силовой электроники. Фирма International Rectifier производит микросхемы IR215 ( х), требующие внешних силовых транзисторов, и микросхемы IR51H ( xx) с интегрированными силовыми ключами. Микросхемы имеют бутстрепную цепь управления затвором верхнего ключевого транзистора, защиту от сквозных токов ( защитная пауза 1 2 мкс), узлы стабилизации внутреннего питания и защиту от пониженного напряжения сети. [10]
Элементы данного диалога предназначены для настройки микросхем управления, часто называемых чипсетом, на материнской плате под применяемое оборудование, например модули оперативной памяти. [11]
Итак, рассмотрим внутреннее устройство выходных каскадов микросхем управления. [12]
![]() |
Сравнительные характеристики и стоимость импульсных ИВЭП. [13] |
Для всех этих групп преобразователей выпускается достаточно много различных микросхем управления различной степени сложности, имеющих различные виды защиты и высокую надежность. [14]
![]() |
Схема однотактного полумостового преобразователя. [15] |