Биполярная микросхема
Cтраница 1
Биполярная микросхема КР580ВА86 / ВА87 предназначена для реализации 8-разрядных одно - и двунаправленных буферных схем с тремя состояниями на выходе. Формирователь КР580ВА87 отличается тем, что имеет инвертирующие буферы. [2]
 |
Алгоритм работы памяти на сердечниках. [3] |
Триггеры биполярных микросхем памяти выполняются относительно просто. Так, показанный на рис. 9.6 а статический триггер на двух трехэмиттерных транзисторах имеет непосредственные связи коллекторов и баз. Один из транзисторов в триггере открыт, другой закрыт; противоположные состояния транзисторов соответствуют хранению другой двоичной цифры. [4]
В биполярных микросхемах в качестве диодов широко используют транзисторы в диодном включении. [5]
Основным методом изоляции элементов современных биполярных микросхем является метод комбинированной изоляции, сочетающий изоляцию диэлектриком ( диоксидом кремния) и р-п переходом, смещенным в обратном направлении. Существует большое число конструктивно-технологических разновидностей биполярных микросхем с комбинированной изоляцией. Широкое распространение получили микросхемы, создаваемые по изопланарной технологии. [6]
Биполярные транзисторы являются наиболее сложными элементами биполярных микросхем, так как их структура содержит наибольшее число областей с различным типом проводимости. Другие элементы ( диоды, резисторы) создаются одновременно с транзисторами в едином технологическом процессе. Поэтому для них используют аналогичные полупроводниковые области, которые принято называть в соответствии с областями транзистора. Так, на основе базового слоя получают резисторы ( см. гл. [7]
В табл. 3.1 представлены основные характеристики элементов биполярных микросхем. [8]
В последние годы в технологии и конструировании биполярных микросхем наблюдается период ускоренной модернизации, что является следствием успешного решения многих проблем миниатюризации биполярных транзисторов. Разработано большое число ( несколько десятков) новых конструкций биполярных транзисторов с уменьшенными размерами и улучшенными электрическими параметрами. Структуры биполярных транзисторов становятся специализированными, т.е. оптимизированными для микросхем определенного типа. [9]
В целом процесс включает четыре операции ионного легирования и пять операций фотолитографии, он значительно проще, чем для биполярных микросхем, где необходимы эпитаксия, не менее четырех операций легирования и шести операций фотолитографии. [10]
Каждый из рассмотренных типов цифровых микросхем ( бидо-лярные ТТЛ и ЭСЛ и схемы на МОП-структурах: п-канальные, КМОП) имеет свои преимущества и недостатки, определяющие область их применения. Соединением многих биполярных микросхем, каждая из которых имеет умеренную сложность, можно создавать быстродействующие узлы аппаратуры. Для построения ЭВМ и узлов дискретной автоматики сейчас наиболее широко применяются схемы ТТЛ. Сверхскоростные устройства строятся на микросхемах ЭСЛ. Схемы ка МОП-транзисторах, размещаемые на одном кристалле, могут соответствовать целым функциональным блокам. [11]
Каждый из рассмотренных типов цифровых микросхем ( биполярные ТТЛ и ЭСЛ и схемы на МОП-структурах: п-канальные, КМОП) имеет свои преимущества и недостатки, определяющие область их применения. Соединением многих биполярных микросхем, каждая из которых имеет умеренную сложность, можно создавать быстродействующие узлы аппаратуры. Для построения ЭВМ и узлов дискретной автоматики сейчас наиболее широко применяются схемы ТТЛ. Сверхскоростные устройства строятся на микросхемах ЭСЛ. Схемы на МОП-транзисторах, размещаемые на одном кристалле, могут соответствовать целым функциональным блокам. [12]
Применение полупроводниковых структур позволяет существенно увеличить быстродействие, уменьшить массу, габаритные размеры и увеличить надежность работы ЗУ. В последние годы благодаря совершенствованию биполярных микросхем, а также расширению серий микросхем на МОП-структурах были созданы элементы статических ЗУ на биполярных, а также на р - и п-канальных МОП - и КМОП-транзисторах. [13]
Применение полупроводниковых структур позволяет существенно увеличить быстродействие, уменьшить массу, габаритные размеры и увеличить надежность работы ЗУ. В последние годы благодаря совершенствованию биполярных микросхем, а также расширению серий микросхем на МОП-структурах были созданы элементы статических ЗУ на биполярных, а также на р - и n - канальных МОП - и КМОП-транзисторах. [14]
Основным методом изоляции элементов современных биполярных микросхем является метод комбинированной изоляции, сочетающий изоляцию диэлектриком ( диоксидом кремния) и р-п переходом, смещенным в обратном направлении. Существует большое число конструктивно-технологических разновидностей биполярных микросхем с комбинированной изоляцией. Широкое распространение получили микросхемы, создаваемые по изопланарной технологии. [15]
Страницы: 1 2