Биполярная микросхема
Cтраница 2
 |
Зависимость выхода годных струк. [16] |
Исследования показывают, что пределы достижимой степени интеграции микросхем определяются возможностью отвода тепла, выделяемого большим числом элементов микросхемы. Практически возможен отвод мощности примерно 0 25 Вт с 1 см2 площади поверхности корпуса микросхемы. С увеличением сложности микросхемы растут площадь кристалла и число слоев соединений, что снижает процент выхода годных микросхем на пластине. Предельными для элементарного логического элемента при современном уровне технологии являются площади порядка 0 1 мм2 для биполярных микросхем и 0 02 мм2 для МДП-микросхем. [17]
Статическое ЗУ на биполярных транзисторах представляет собой матрицу ЗЭ, каждый из которых может находиться в одном из устойчивых состояний. Таким элементом обычно является триггер. На ЗЭ строится накопительная матрица памяти - основа ОЗУ. Информация записывается в ОЗУ и считывается из него согласно потребностям процессора ЭВМ. Современная технология позволяет получить на одном кристалле биполярной микросхемы ОЗУ на 16384 бит с временем выборки менее 150 не, снабженное схемами управления. Построение ( организация) матрицы определяется способом выборки ( опроса) ЗЭ при записи или считывании. [18]
Статическое ЗУ на биполярных транзисторах представляет собой матрицу ЗЭ, каждый из которых может находиться в одном из устойчивых состояний. Таким элементом обычно является триггер. На ЗЭ строится накопительная матрица памяти - основа ОЗУ. Информация записывается в ОЗУ и считывается из него согласно потребностям процессора ЭВМ. Современная технология позволяет получить на одном кристалле биполярной микросхемы ОЗУ на 16384 бит с временем выборки менее 150нс, снабженное схемами управления. Построение ( организация) матрицы определяется способом выборки ( опроса) ЗЭ при записи или считывании. [19]
Страницы: 1 2