Интегральная микросхема

Cтраница 2

Интегральная микросхема представляет собой функциональный узел или узлы, либо часть узла, элементы которого ( диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) изготовлены на основе единой пластины полупроводникового материала. По технологическому признаку микросхемы разделяют на полупроводниковые и гибридные. В первых из них все элементы выполняют внутри или на поверхности полупроводникового материала. Соединения между элементами осуществляют с помощью проводников, наносимых методами напыления или химическим. [16]

Гибридная интегральная микросхема. [17]

Интегральные микросхемы отличаются очень малым потреблением энергии. Коллекторные токи транзисторов, входящих в микросхему, лежат в пределах единиц миллиампер при напряжениях питания обычно не выше 15 В. Для работы с мощными исполнительными элементами ( реле, сигнальные лампы, громкоговорители) сигналы с выхода микросхем усиливают с помощью дискретных полупроводниковых приборов. [18]

Гибридная интегральная микросхема. [19]

Интегральная микросхема заключается в герметичный корпус, имеющий выводы в виде электрических проводников. Число выводов зависит от количества входов и выходов схемы, а также цепей, к которым необходима подача питания от внешних источников. [20]

Интегральная микросхема - схема, выполняющая определенные электронные функции ( например, усилителя низкой частоты) и расположенная в отдельном корпусе. [21]

Интегральные микросхемы на МОП ( металл - окисел - полупро-водник) - транзисторах являются более медленно действующими, чем элементы ТТЛ или ЭСЛ. Время задержки у элемента на МОП-транзисторах обычно не менее 50 - 100 не. Однако эти элементы отличаются меньшей потребляемой мощностью, большой нагрузочной способностью и помехоустойчивостью и, что особенно важно, требуют меньшей площади на поверхности интегральной микросхемы. Схемы на МОП-транзисторах технологичны и дешевы. Поэтому они находят широкое применение, особенно в цифровых устройствах, не требующих очень высокого быстродействия, или в устройствах, для которых важна очень высокая степень интеграции, таких, как, например, устройства памяти ( см. гл. [22]

Интегральная микросхема биполярного ЗУ представляет собой кристалл кремния, в котором образованы массив ЗЭ ( триггеров) со всеми межсоединениями, а также адресные дешифраторы, усилители-формирователи записи и считывания и другие схемы для управления адресной выборкой, записью и считыванием. Для повышения быстродействия ЗУ эти обслуживающие схемы могут быть выполнены на основе ЭСЛ-элементов, работающих в линейной области, в то время как построенные на основе ТТЛ-элементов триггеры ЗЭ работают с насыщением. В таком случае кристалл содержит схемы согласования уровней сигналов для перехода от схем ТТЛ к схемам ЭСЛ и обратно. [23]

Интегральная микросхема ( ИМС) - микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов или кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое. [24]

Интегральная микросхема ( ИС) - микроэлектронное изделие, выполняющее функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов или кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке-и эксплуатации - рассматривается как единое целое. [25]

Электрические принципиальные схемы некоторых типов микросхем и их конструктивное оформление. [26]

Интегральные микросхемы, предназначенные для использования в качестве активных элементов кварцевых генераторов, должны обеспечивать возможность подключения внешних элементов обратной связи кварцевого резонатора в некоторых случаях резонансного контура на выходе генератора. [27]

Типовые схемы включения ИС 66. [28]

Интегральные микросхемы, предназначенные для детектирования сигналов, выпускаются в полупроводниковом и гибридном вариантах. В их числе детекторы АРУ, детекторы AM - и ЧМ-сигна-лов, ограничители-дискриминаторы. Примером может служить ИС 175ДА1, в которой совмещены функции детектора АМ-сигналов и детектора АРУ с УПТ. Микросхема содержит 19 элементов, выпускается в корпусах 401.14 - 3 либо в бескорпусном исполнении. [29]

Интегральная микросхема ( ИС) - микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов ( или элементов и компонентов) и ( или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое. [30]

Страницы: 1 2 3 4