Cтраница 2
Пленочная ИС - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Частными случаями пленочных интегральных микросхем являются тонкопленочные и толстопленочные ИС. [16]
В пленочных интегральных микросхемах все элементы и соединения между ними формируются в виде пленок из различных материалов, которые в определенной последовательности и конфигурации наносятся на пассивную изоляционную подложку. Различают два вида пленочных интегральных микросхем: тонкопленочные и толстопленочные. Микросхемы, у которых толщина пленок менее 1 мкм, называют тонкопленочными, а микросхемы с толщиной пленок более 1 мкм - толстопленочными. Толстопленочные микросхемы имеют преимущество перед тонкопленочными благодаря меньшей сложности и стоимости оборудования для их изготовления и меньшим затратам при их массовом производстве. [17]
Конструктивно-технологические процессы производства интегральных микросхем разделяют на толстопленочные, тонкопленочные и полупроводниковые. В соответствии с этим микросхемы подразделяются на пленочные интегральные микросхемы и полупроводниковые. [18]
Одним из наиболее универсальных методов получения пленочных структур самого различного назначения является метод термовакуумного напыления. Этот метод давно и успешно используется в различных областях техники, в том числе для создания дискретных радиокомпонентов и элементов пленочных интегральных микросхем с хорошо воспроизводимыми электрическими параметрами. [19]
Для современной микроэлектроники характерно два направления: полупроводниковое и пленочное. Полупроводниковые интегральные схемы представляют собой конструкцию, объединяющую в одном кристалле значительное число элементов. Последние создаются путем локального воздействия на участки полупроводникового материала. Пленочные интегральные микросхемы получают нанесением пленок различных материалов на изоляционную подложку. Основными задачами в области пленочной технологии являются поиск материалов для пленочных элементов, обладающих хорошими электрофизическими характеристиками и надежной сцепляемо-стью с подложкой, а также создание высокопроизводительного оборудования для получения и контроля пленочных элементов. [20]
Главной особенностью конструирования интегральных микросхем является тесная связь конструктивных решений с технологией изготовления элементов микросхем. Интегральная технология позволяет за одну непрерывную операцию получить одновременно все элементы функционального узла или схемы в единой конструкции. При такой технологии отсутствуют сборочные операции, процесс образования элементов схемы совмещен с процессом образования самой конструкции. При изготовлении пленочных интегральных микросхем электрорадиоэлементы получают на подложке в виде пленок полупроводников, диэлектриков, различных металлов и их оксидов, последовательно наносимых одна на другую. Методами пленочной технологии изготавливают резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, соединительные проводники и контактные площадки. [21]