Толстопленочная микросхема

Cтраница 1

Толстопленочные микросхемы находят широкое применение в аналоговых и цифровых устройствах, требующих высокого коэффициента усиления транзисторов и резисторов с большими значениями номиналов, мощных цифровых регулирующих схемах. [1]

Способы получения тонких пленок и области их применения. [2]

Толстопленочные микросхемы изготовляют с помощью трафаретной печати и последующего вжигания. [3]

Толстопленочные микросхемы могут быть многослойными. Для; изготовления таких схем применяют два метода. Первый метод состоит в последовательном нанесении на керамическую подложку нескольких слоев токопроводящих материалов и слоев диэлектрика с последующим вжиганием. По второму методу слои наносят на отдельные керамические подложки, которые собирают в блок. Соединения отдельных слоев осуществляют через отверстия в подложках, которые заполняют токопроводящей пастой. [4]

Элементы толстопленочных микросхем наносятся методом шелкографии. Толстопленочная микросхема выполняется на керамической пластинке - подложке, на которую сначала через сетчатые трафареты наносятся соединительные линии из проводящей пасты. При температуре около 700 С паста вжигается в керамическую подложку. Для изготовления толстопленочных схем кроме проводящей пасты используются резистивные и диэлектрические пасты, которые также обжигаются. Транзисторы и диоды ( бескорпусные или в корпусах) присоединяются к контактным площадкам на подложке микросхемы. [5]

Для гибридных толстопленочных микросхем в качестве материала подложек обычно применяют высокоглиноземистую керамику ( 96 или 99 % окиси алюминия), бериллиевую керамику, для специальных целей - металлы, покрытые термостойкой диэлектрической пленкой. Для тонкопленочных микросхем используют ситаллы, по-ликор, анодированный алюминий и полиимидную пленку. [6]

В толстопленочных микросхемах используют конденсаторы малой емкости. В большинстве толстопленочных гибридных микросхем используют многослойные дискретные ( навесные) керамические конденсаторы. [7]

Для подложек толстопленочных микросхем находит широкое применение керамика на основе глинозема, содержащая до 99 6 % окиси алюминия и обладающая необходимыми параметрами. Кроме высокоглиноземистой керамики применяют стеатит, брокер ит ( 97 % окиси бериллия), отличающийся высокой теплопроводностью, титанаты ( тикондовая и термокондовая керамика) с высокой диэлектрической проницаемостью, а также керамики, в состав которых входят высокотвердый карбид бора, окись циркония и другие материалы. [8]

Существенным недостатком толстопленочных микросхем является нестабильность номинальных значений величин пассивных микроэлементов и относительно низкая плотность монтажа. Тонкие пленки обеспечивают плотность монтажа до 200 элементов / ел3 и высокую точность элементов. [9]

Схема технологического процесса изготовления гибридных толстопленочных ИМС. [10]

Основными недостатками толстопленочных микросхем являются необходимость выполнения операции вжигания; высокая стоимость некоторых паст; сложность получения четкого рисунка схемных элементов. [11]

Процесс изготовления толстопленочных микросхем начинают с подготовки поверхности подложки и трафаретов, затем на подложку наносят требуемый рисунок слоев. После каждого цикла нанесения соответствующего слоя последний обжигают для закрепления его на подложке и придания заданных свойств материалу слоя. Поскольку температура обжига проводящих, резистивных и диэлектрических паст различна, последовательность нанесения слоев должна быть вполне определенной. [12]

Различие между тонкопленочными и толстопленочными микросхемами может быть количественным и качественным. К тонкопленочным условно относят микросхемы с толщиной пленок менее 1 мкм, а к толстопленочным - микросхемы с толщиной пленок свыше 1 мкм. Качественные различия определяются технологией изготовления пленок. Элементы тонкопленочной микросхемы наносятся на подложку, как правило, с помощью катодного распыления и термовакуумного осаждения, а элементы толстопленочной микросхемы изготавливаются преимущественно методом шелкографии с последующим вжига-нием. [13]

Различие между тонкопленочными и толстопленочными микросхемами может быть количественным и качественным. К тонкопленочным условно относят микросхемы с толщиной пленок менее 1 мкм, а к толстопленочным - микросхемы с толщиной пленок свыше 1 мкм. Качественные различия определяются технологией изготовления пленок. Элементы тонкопленочной микросхемы наносятся на подложку, как правило, с помощью катодного распыления и термовакуумного осаждения, а элементы толстопленочной микросхемы Изготавливаются преимущественно методом шелкографии с последующим вжига-нием. [14]

Правильно, навесные элементы входят в толстопленочные микросхемы. Правильно, все перечисленные и ряд других материалов. Правильно, электронный луч распыляет самые тугоплавкие металлы. Отпечаток получают при многократном уменьшении. Облученные участки такого фоторезистора растворяются. На поверхности подложки остается только пленочная схема. Активные элементы этих схем навесные. Важна также работоспособность кремния при высоких температурах. Пленка диоксида кремния имеет многоцелевое назначение. [15]

Страницы: 1 2 3 4